AAP interne IEMN 2025 – projet retenu

Impact des conditions de passivation sur les propriétés électroniques des composants sur matériaux grand-gap (WBG) et ultra grand-gap (UWBG)

Porteurs du projet, participants :

Porté par les Flagship MATERIAUX and ENERGY et plus particulièrement par :

Porteurs du projet : C. MONCASILUQUE (CMNF) et M. ABOU DAHER (ANODE)

Chercheurs impliqués : M. LESECQ (PUISSANCE), Z. BOUGRIOUA (PUISSANCE), M. ZAKNOUNE (ANODE)

L’objectif de ce projet est de traiter différents aspects des procédés de passivation des dispositifs sur WBG (diodes Schottky) et UWBG (diodes de puissance) avec le nouvel équipement PECVD de l’IEMN. Une attention particulière sera portée sur les conditions dans lesquelles les passivations seront réalisées. L’étude de la passivation ne se réduira donc pas à un simple dépôt de couche mince de nitrure ou d’oxyde de silicium dans le but d’isoler les dispositifs et de les protéger de l’environnement extérieur (humidité, oxygène, impuretés, …). L’étape de passivation ainsi que la préparation des surfaces et les conditions du procédé peuvent affecter significativement les performances des dispositifs et leur fiabilité.