The research activity of the Epiphy group is focused on the growth and characterization of materials for microelectronics and optoelectronics applications and covers 3 main areas:

• III-V semiconductor heterostructures and nanostructures
• 2D material epitaxy including graphene, hBN, transition metal dichalcogenides and their heterostructures
• Carbon-based materials for electromagnetic waves absorption

La croissance repose sur 3 réacteurs d’épitaxie par jets moléculaires et 2 réacteurs de dépôt chimique en phase vapeur. La caractérisation est réalisée par diffraction de rayons X, micro-photoluminescence, spectroscopie Raman, effet Hall, microscopie optique, microscopie à force atomique et microscopie électronique à balayage. De plus, le groupe réalise des caractérisations physico-chimiques via des spectroscopies photoélectroniques (XPS/UPS) pour ses besoins et ceux de l’ensemble de l’Institut. Dans chaque domaine, les objectifs principaux sont :

• physical and chemical characterization of heterostructures
• understanding of growth mechanisms at hand in hetero-epitaxy
• mastering new process or material heterostructures for advanced devices

Within IEMN, Epiphy has strong collaborations with other groups working on device fabrication and characterization and on more fundamental studies, such as the Anode, Carbon, Photonics THz and Physics groups. To a less extent, the surface characterization and the Raman spectroscopy activities stimulate interactions with the BIOMEMS, CSAM, MICROELEC Si, NBI and NCM groups.