Thématiques scientifiques

La première thématique de recherche de l’équipe PUISSANCE concerne le développement de dispositifs actifs basés sur des semi-conducteurs à large bande interdite :

• Développement de HEMTs AlGaN/GaN pour les applications de puissance micro-ondes jusqu’à la bande G. (Fabrication, caractérisation et modélisation électrique et microondes, caractérisation thermique de dispositifs sur substrats Si, SiC, composite SiC-Si, et GaN).
• Début d’activités concernant les nouveaux matériaux de barrière tels que le ScAlN pour la montée en fréquence et puissance des dispositifs HEMT jusque 94 GHz.
• Activité en électronique de puissance : caractérisation basée sur les paramètres S, modélisation électro-thermique, conception et fabrication de convertisseurs DC-DC à haut rendement sur GaN (collaboration avec le L2EP de l’université de Lille).
• Développement de détecteurs THz basés sur des diodes GUNN à base de GaN.

La deuxième activité de l’équipe PUISSANCE est basée sur les dispositifs en silicium (HBT SiGe, BiCMOS) dans le cadre du laboratoire commun entre l’IEMN et ST MICROELECTRONICS.

• Développement d’un VNA entièrement intégré et d’un banc de caractérisation load-pull sur silicium dans la gamme de fréquence de 140-220 et 220-325 GHz
• Détermination des résultats de la puissance des HBT SiGe:C à 94 GHz et au-delà.