Dispositifs à large bande interdite

WIND est un groupe de recherche axé sur le développement de dispositifs à large bande interdite pour les applications à haute fréquence et la conversion d’énergie à haute puissance. Les matériaux d’intérêt comprennent le GaN, le SiC mais aussi les bandes interdites ultra larges (au-delà du GaN et du SiC) comme les alliages à base d’AlGaN, l’AlN ou le Ga2O3. Nos activités couvrent la conception et la simulation de dispositifs ainsi que le traitement et la caractérisation avancés.

Le GaN et les alliages apparentés (AlN, InN et ses alliages) changent la donne dans le domaine des dispositifs électroniques. En outre, sa grande bande interdite permet d’obtenir une tension de claquage élevée et une température de fonctionnement élevée. Les propriétés de ces matériaux de base en font les candidats idéaux pour les dispositifs électroniques.

Les matériaux UWBG (ultra-wide bandgaps) comprennent l’AlGaN/AlN, le Ga2O3, le diamant et peut-être d’autres encore non découverts. Étant donné que de nombreux chiffres de mérite pour les performances des dispositifs augmentent avec la largeur de bande interdite d’une manière hautement non linéaire, ces matériaux UWBG ont le potentiel pour des performances bien supérieures à celles des matériaux WBG.