Responsable : Mohammed ZAKNOUNE

Membres : Sylvain Bollaert (Pr), François Danneville (Pr),

Gilles Dambrine (Pr), Yannick Roelens (MdC), Nicolas Wichmann (MdC), Mahmoud Abou Daher (MdC)

Mohammed Zaknoune (DR),

Faits marquants

Tout d’abord, le groupe vise le domaine THz en développant des technologies de transistors et de dipôles pour les applications THz et les télécommunications THz. Les performances des transistors sont maintenant bien au-delà de 1/2 THz pour le FET (HEMT) et le HBT (Transistor Bipolaire). Les dipôles s’adressent également aux applications THz avec la génération en utilisant le principe de multiplication basé sur la diode Schottky et la conversion photo-diode basée sur la diode Uni-Travelling-Carrier (UTC) (en collaboration avec le groupe Photonique THz de l’IEMN). Deux projets ont été lancés dont l’objectif est la génération de puissance élevée jusqu’à 0.5 THz en utilisant un multiplicateur GaN. Un résultat de pointe a été obtenu pour un UTC de 700 µW à 300 GHz. Nous avons réalisé la première démonstration d’un canal THz unique de 100 Gbit/s. Une deuxième partie de l’activité se concentre sur « La fin de la loi de Moore » qui aborde le problème de la consommation d’énergie des ordinateurs. Nous avons développé 3 technologies, le III-V MOSFET, le III-V IMOS et le III-V Tunnel FET. En outre, une activité de matériel bio-inspiré a débuté en raison du grand intérêt pour l’informatique analogique et parce qu’elle permet une réduction drastique de la consommation tout en présentant des propriétés cognitives. Une troisième partie de l’activité se concentre sur la nanocaractérisation ; nous avons développé une nanosonde ultra compacte dédiée à la caractérisation des nanodispositifs.