Pôle Gravure et Implantation

Avec 10 réacteurs de gravure par plasma (ICP-RIE, RIE, DRIE, IBE) et 2 réacteurs de gravure sèche chimique (HF vapeur et XeF2) le pôle Gravure représente un parc d’équipements très important au sein de la centrale de Micro Nano Fabrication. La gravure chimique humide de nombreux matériaux y est également pratiquée. L’expertise du pôle s’étend sur la gravure de diverses familles des matériaux: Si, III-V, isolants (Si_xN_y, SiO₂), différents alliages (Al₂O₃, TiN, VN) et métaux (Au, Pt). Une partie importante de l’activité est dédiée à la gravure profonde du Si pour la réalisation des composants MEMS, des microstructures pour le stockage d’énergie et des composants RF/THz.