Gravures sèches et traitements par plasmas
Gravure profonde du Silicium
Gravure chimique en phase vapeur
Gravure par faisceau ionique
Implantation ionique
Gravure humide et préparation de surface par chimie
Avec 10 réacteurs de gravure par plasma (ICP-RIE, RIE, DRIE, IBE) et 2 réacteurs de gravure sèche chimique (HF vapeur et XeF2) la ressource Gravure représente un parc d’équipements très important au sein de la centrale de Micro Nano Fabrication. La gravure chimique humide de nombreux matériaux y est également pratiquée. L’expertise de la ressource s’étend sur la gravure de diverses familles des matériaux: Si, III-V, isolants (SixNy, SiO2), différents alliages (PZT, TiN, VN) et métaux (Au, Pt). Une partie importante de l’activité est dédiée à la gravure profonde du Si pour la réalisation des composants MEMS, des microstructures pour le stockage d’énergie et des composants optoélectroniques.
Contacts :
Dmitri Yarekha
Responsable