La zone photolithographie est équipée de 2 aligneurs de masques optiques MA6/BA6 (6 inch) N°750 et 834 de marque Suss MicroTec.
Passage de la génération GEN 2 à GEN 4 permettant la continuité des maintenances curatives et préventives sur plus de 7 ans.
Résolution < 1µm en mode vacuum contact et en alignement face avant TSA < 0,5 µm. Résolution < 1µm en mode Vacuum contact et alignement face arriere BSA < 1 µm Acquisition Video pour alignement wafer / masque en TSA / BSA Portes Wafer: 1/4, 1/2 de 2", 2", 3", 4" avec portes masques optiques 4", 5". Démarche éco-responsable, avec une baisse de la consommation d'énergie, de l’azote et de l’air comprimé consommées et passage en UV LED qui permettra la suppression des lampes à mercure nocives pour l’environnement et très coûteuses. UV-LED: 10 000 Heures de fonctionnement. [/av_textblock] [/av_two_third][av_heading heading='Expertises et savoir-faire: quelques points marquants' tag='h6' link_apply='' link='' link_target='' style='' size='' subheading_active='' subheading_size='15' margin='' padding='15' color='' custom_font='' custom_class='' admin_preview_bg='' av-desktop-hide='' av-medium-hide='' av-small-hide='' av-mini-hide='' av-medium-font-size-title='' av-small-font-size-title='' av-mini-font-size-title='' av-medium-font-size='' av-small-font-size='' av-mini-font-size='' av_uid='av-3tmbpm'][/av_heading] [av_three_fifth first min_height='' vertical_alignment='' space='' custom_margin='' margin='0px' padding='0px' border='' border_color='' radius='0px' background_color='' src='' background_position='top left' background_repeat='no-repeat' animation='' av_uid='av-zcavju'] [av_textblock size='' font_color='' color='' av_uid='av-yazfcq'] - Technologie pont à air métallique par électrolyse (2 à 5µm) à l’aide d’un bicouche de résine.
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1. Pont à air , electrolyse d’Au de 2µm (équipe optoélectronique)
– Tri couche casquette pour lift off des dépôts métalliques réalisés par pulvérisation
2. Lift off d’un dépôt d’Au de 3µm réalisé par pulvérisation cathodique (équipe NAM6)
– Résines épaisses (SPR, AZ15NXT) pour la réalisation de gravures très profondes jusqu’au Via-hole par procédé de gravure sèche profonde
3. Structures à fort rapport d’aspect SPR220 4µm sur Si (équipe CSAM)
Expertises et savoir-faire: autres
- Réalisation de masques de résines structurées (de 300 nm à quelques 40 µm d’épaisseur) pour la gravure sèche (ICP, RIE, DRIE, RIBE) ou humide des matériaux.
- Réalisation de bi ou tricouches de résines en tant que masques de protection pour l’implantation, pour les dépôts métalliques (évaporation ou pulvérisation par la technique lift- off), pour les electrolyses (Au, Cu, …)
- Réalisation de recuits spécifiques avec contrôle des rampes de température permettant de minimiser les contraintes dans le polymère ou pour le transfert de matériaux (graphène, parylène,…).
- Utilisation de résines épaisses (3 à 5µm) en tant que protection face avant lors des découpes mécaniques ou laser.
