Gravure profonde du silicium
Deux réacteurs (SPTS Rapier, Oxford Estrelas) sont dédiés à la gravure profonde anisotrope de Si et de SOI permettant de réaliser le procédé switché Bosch et le procédé cryogénique (gravure continue dans le mélange de SF6/O2 dans la gamme de température -70°C à -150°C).
Expertises et savoir-faire: points marquants
– Variation du profil de gravure, tel que de l’angle des flancs de gravure en ajustant le taux d’oxygène dans le mélange SF6/O2 en gravure cryogénique.
1. Modification d’angle de gravure avec la variation de taux d’oxygène en procédé cryogénique
– Créations de membranes par procédé Bosch, notamment sur SOI, avec contrôle de contraintes, fines épaisseurs, voire membranes percées. Utilisé typiquement pour les applications MEMs ou BioMEMs.
2. Réalisation d’un HF MEMs pour l’AFM par gravure Si Bosch (Équipe NAM6)
– Gravures profondes et très denses par procédé Bosch, telles que µ-piliers ou µ-tubes. Gravure possible jusqu’à 100 µm de profondeur sur des diamètres des tubes de 2 µm-3 µm et pitch de 1 µm. Utilisé notamment dans les applications de stockages d’énergie.
3. gravure de microtubes diamètre 2µm, pitch 1µm en procédé Bosch (groupe CSAM, C. Lethien, RS2E)
– Gravures anisotropes profondes à très faibles rugosités de flancs par procédé cryogénique. Généralement utilisé pour la réalisation des composants optoélectroniques en remplacement de la gravure Bosch pour cette raison.
– Traversée de substrat de silicium en procédé Bosch
– Dépôts de couches conformes de C4F8 sur tout type de surface dont nanofils. Utilisation en tant que fonctionnalisation de surface pour augmenter l’angle de contact dans les applications microfluidiques, bioMEMs,…
Contact: Dmitri Yarekha
