Le développement des composants pour l’électronique haute fréquence passe par un cycle de développement technologique, d’évaluation des performances, à la fois en régime petit signal, puissance ou bruit selon les applications visées (génération de puissance en RADAR, réception faible bruit, …). Ce type de mesure est réalisé au départ sur des composants unitaires (transistors), des circuits sur plaquette ou bien enfin dans des composants mis en boîtier.
Mesures en espace libre
Mesure Espace Libre: cette ressource vise à tester et étudier des dispositifs, systèmes, sous-systèmes ou matériaux élémentaires dans des gammes de fréquence allant de 75 GHz à 750 GHz. Les applications visées, au delà du test d’éléments unitaires, sont les communications sans fils THz, l’imagerie champ lointain ou encore la spectroscopie résolue très finement (< 1 MHz). [/av_textblock] [av_textblock size='' font_color='' color='' av-medium-font-size='' av-small-font-size='' av-mini-font-size='' av_uid='av-jioo5h00' admin_preview_bg=''] Contact :
Mesures paramètres-S sous pointes
L’anticipation et le développement des filières technologiques III-V ou silicium, ou les études amont de nouvelles filières (Graphène, …) passe par le test on-wafer (sous-pointes coplanaires) de dispositifs actifs, passifs afin de développer des modèles de composant et de réaliser le retour technologique nécessaire à l’amélioration des performances. Ces mesures sont possibles entre 140 GHz et 1,1 THz.
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Bruit et puissance en domaine millimétrique
Au delà du test unitaire de composants localisés, le test de circuits actifs (multiplieurs, mélangeurs, amplificateurs de puissance ou faible bruit) passe par la caractéristique des performances en bruit et puissance, qui peuvent être réalisées à l’IEMN jusque 200 GHz en puissance et 170 GHz-260GHz en mesure de bruit à ce jour.
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