Amincissement et polissage
Il est possible au sein du pôle packaging d’en amincir et de polir une large palette (semi-conducteurs, métaux, céramiques, etc…) avec grande précision ou rapidité d’exécution suivant le besoin. Ces étapes d’amincissement/polissage sont utilisées afin par exemple de préparer un substrat avant fabrication pour limiter les défauts de surface, amincir des dispositifs après fabrication, planariser des couches d’interconnexion (interlayer dielectric thin films: ILDs) ou des structures d’isolement par tranchée peu profonde (STI: shallow trench isolation).
En fonction de l’application, des spécifications d’épaisseurs et de rugosité de surface, il est possible de réaliser polissage mécanique doux (Logitech PM5), rapide (Grinder G&N), manuel avec la polisseuse PRESI (Minitech233) ainsi qu’un polissage mécano-chimique (CMP Alpsitec E460). De plus, l’association de la polisseuse à une colleuse automatique (Logitech 1WBS1) permet des collages très reproductibles et garantit un parallélisme optimal entre l’échantillon et le porte-échantillon. Un système de nettoyage mégasonic (EDI ou chimique) peut être utilisé afin de nettoyer les échantillons après ces processus.
Découpe de précision
Nous disposons au sein du pole d’une scie de haute précision pour la découpe de substrats minces à épais (jusque 3 mm d’épaisseur selon les matériaux). La scie diamantée (DISCO DAD 3240) permet la séparation des puces et la structuration de tout type de matériaux grâce à différents types de lames et de paramètres de découpe. La taille des échantillons peut atteindre jusque 8 pouces. Les débris sont éliminés lors de la découpe à l’aide d’un jet d’eau dé-ionisée. L’eau de découpe est maintenue dans une unité de contrôle permettant de garder une température et une pression constante en circuit fermé. L’interface graphique ainsi que les fonctions d’automatisation permettent des coupes de qualité reproductibles. Des coupes à angle et à géométries préprogrammées sont également possibles.
Savoir-faire: points marquants
– Amincissements et polissages mécaniques doux :
différents procédés standards ont été développés en polissage doux pour amincir et polir les matériaux tels que: Si, GaAs, InP, GaN, Al, Quartz. Un contrôle automatique de la planéité permet d’obtenir un polissage plan, convexe ou concave avec une précision de +/- 5 µm et une rugosité de l’ordre du nanomètre. L’amincissement d’échantillons d’un diamètre maximal de 3″ et d’épaisseur maximum de 2mm est possible jusqu’à quelques dizaines de µm, suivant leur nature.
– Amincissement manuel de 650 µm de billes d’acier d’1 mm de diamètre collés dans l’epoxy avec la polisseuse PRESI Minitech 233
2. Tissdiam 40µm – amincissement de 650 um
– Reports sur substrats flexibles
2. Silicon components reported on flexible substrate after grinding and chemical etching
– Polissage Mécano Chimique pour – Interlevels dielectrics ILDs, – Shallow trench isolation STI technology, -Damascene process
3. Ni pillars thinning and planarization for the fabrication of pillars-based metamaterial (SAW process)
– Technique des « carrés de chocolat » : réglage de la profondeur de coupe pour permettre une entaille partielle du substrat façon « carrés de chocolat » facilitant la découpe finale par clivage pour des surfaces de 1 mm² et plus.
4. Découpe d’éléments en GaAs de 3 x 0.5 mm de côté, 600 µm d’épaisseur
– Découpes mécaniques d’assemblages de matériaux de duretés différentes en micro-cavités ou membranes avec conservation de l’intégrité des structures.
5. Découpe de Si/verre avec cavité, épaisseur 1680 µm avant amincissement
