Trois bâtis d’épitaxie par jets moléculaires (EJM) permettent la croissance de couches minces de semiconducteurs, d’hétérostructures complexes et nanostructures avec dopants en environnement ultra-vide. Deux bâtis sont dédiés aux matériaux III/V arséniés, phosphorés et antimoniés. Ils sont reliés entre eux ainsi qu’à la chambre d’analyse XPS sous ultra-vide. Le troisième bâti sert à la croissance de graphène et de h-BN.

En plus de ces moyens de croissance, différents outils de caractérisation des matériaux, dont certains in-situ, sont disponibles (propriétés structurales, optiques, électriques). De plus amples informations sur ces outils peuvent être trouvées dans la rubrique caractérisation.

Plus d’informations sur ces activités sont disponibles sur le site du groupe EPIPHY (Contact: Xavier Wallart, Responsable de groupe

Expertises et savoir-faire: quelques points marquants

Hétérostructures 2D pour l’optoélectronique et l’électronique

Réalisation d’hétérostructures à base d’antimoine pour transistors bipolaires et à effet de champ dans le cadre d’études en physique mésoscopique.

Croissance de matériaux phosphorés pour l’optoélectronique

Croissance de matériaux à temps de vie court, notamment de GaAs basse température, avec un excellent contrôle de la reproductibilité

Nanostructures et croissance sélective

Epitaxie sélective sur substrats couverts de masques diélectriques gravés

Nanostructures de semiconducteurs III/V alliant arseniures, phosphures et antimoniures

Graphène

Croissance de graphène sous ultra-vide, par graphitisation du SiC ou épitaxie par jets moléculaires (source solide de carbone).

Analyse UHV  couplée au bâti de croissance (LEED/Auger de Omicron).