Trois bâtis d’épitaxie par jets moléculaires (EJM) permettent la croissance de couches minces de semiconducteurs, d’hétérostructures complexes et nanostructures avec dopants en environnement ultra-vide. Deux bâtis sont dédiés aux matériaux III/V arséniés, phosphorés et antimoniés. Ils sont reliés entre eux ainsi qu’à la chambre d’analyse XPS sous ultra-vide. Le troisième bâti sert à la croissance de graphène et de h-BN.
En plus de ces moyens de croissance, différents outils de caractérisation des matériaux, dont certains in-situ, sont disponibles (propriétés structurales, optiques, électriques). De plus amples informations sur ces outils peuvent être trouvées dans la rubrique caractérisation.
Plus d’informations sur ces activités sont disponibles sur le site du groupe EPIPHY (Contact: Xavier Wallart, Responsable de groupe
Expertises et savoir-faire: quelques points marquants
Hétérostructures 2D pour l’optoélectronique et l’électronique
Réalisation d’hétérostructures à base d’antimoine pour transistors bipolaires et à effet de champ dans le cadre d’études en physique mésoscopique.
Croissance de matériaux phosphorés pour l’optoélectronique
Croissance de matériaux à temps de vie court, notamment de GaAs basse température, avec un excellent contrôle de la reproductibilité
Nanostructures et croissance sélective
Epitaxie sélective sur substrats couverts de masques diélectriques gravés
Nanostructures de semiconducteurs III/V alliant arseniures, phosphures et antimoniures
Croissance de graphène sous ultra-vide, par graphitisation du SiC ou épitaxie par jets moléculaires (source solide de carbone).
Analyse UHV couplée au bâti de croissance (LEED/Auger de Omicron).
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