3 bâtis permettent la croissance de semiconducteurs, pour la réalisation d’hétérostructures complexes, de nanostructures ou pour l’étude des matériaux 2D. Un premier réacteur est dédié aux matériaux III-V, arseniés, phosphorés et antimoniés. Le deuxième est réservé à l’étude des matériaux 2D à base de dichalcogénures de métaux de transition. Ces deux bâtis sont reliés entre eux, ainsi qu’à une chambre d’analyse XPS. Un troisième réacteur est dédié à la croissance de graphène et de h-BN.
En plus de ces moyens de croissance, nous disposons d’outils de caractérisation des matériaux pour l’étude des propriétés structurales, optiques et électriques. De plus amples informations sont disponibles dans la rubriques « caractérisations ».
D’autres informations sont également disponibles sur le site du groupe EPIPHY (Contact : Ludovic Desplanque, responsable de groupe)
Perspectives 2025-2026
Upgrade du parc d’équipements avec l’arrivée de deux nouveaux réacteurs d’épitaxie par jets moléculaires (EJM), pour composants hautes performances, études exploratoires, traitement de surface à haute température, croissances localisées.
Mise en service prévue en 2026.
Croissance localisée InAs/GaSb
W Khelifi et al 2023 Nanotechnology 34 265704
Expertises et savoir-faire: quelques points marquants
Hétérostructures III-V pour l’électronique et l’optoélectronique
Nanostructures et croissance sélective
Croissance 2D : Graphène, h-BN, Dichalcogénures de métaux de transition
Contacts: Christophe Coinon – Responsable épitaxie
Ludovic Desplanque, Xavier Wallart – Groupe EPIPHY
