Caractérisations structurales
La diffraction d’un faisceau de photons X par un cristal permet d’analyser finement la structure de celui-ci. L’IEMN est équipé pour l’analyse de la structure physique de matériaux semi-conducteurs monocristallins. Un goniomètre X’Pert Pro à double diffraction de rayons X (DRX) nous permet de mesurer les paramètres importants dans le domaine de la croissance épitaxiale comme le paramètre de maille, la composition des alliages ou encore le taux de relaxation d’un cristal contraint.
Ce système permet un contrôle non destructif des échantillons montés sur une table x-y acceptant des substrats dont le diamètre peut aller jusqu’à 100 mm. Principales applications:
- mesures de compositions d’alliages et d’épaisseurs de couches
- contrôle de l’adaptation en paramètre de maille avec le substrat
- qualité des interfaces dans les super-réseaux
- couches minces contraintes
- taux de relaxation et tilt de couches épaisses désadaptées
L’IEMN est également équipé sur un de ses microsopes électroniques à balayage d’un détecteur type EBSD (diffraction des électrons rétrodiffusés) pour la détermination de l’orientation locale sur matériau cristallin. Nous pouvons ainsi réaliser des analyses quantitatives par cartographies de microstructures, évaluer les orientations de films cristallisés, cartographier des désorientations,…