- transfert de couches actives sur flexible
Transistor de la filière GaN transféré sur flexible après amincissement du substrat et gravure de 20µm par XeF2 de la couche restante de Si (équipe Carbon)
- gravure du Si en utilisant des cycles de gravure au XeF2 en phase vapeur présentant une forte sélectivité par rapport à l’oxyde thermique et la résine.
Libération par gravure XeF2 de 10µm de profondeur d’une plateforme de caractérisation thermoélectrique sur membrane de Si de 60nm protégée par du BOX. L’oxyde est ensuite gravé par HF en phase vapeur (équipe MicroélecSi)
- gravure du SiO2, en effectuant des cycles de gravure au HF en phase vapeur offrant une haute sélectivité par rapport au Si et une très bonne compatibilité avec de nombreux matériaux comme le SiC, l’Al, le Pt, l’Au, le Ni, le Cr, le TiW et l’Al2O3.
Sous gravure d’un BOX de 2µm par HF en phase vapeur (équipe Nam6)
Expertises et savoir-faire: autres
- Séchage au CO2 à l’état supercritique de structures libérées par voie humide pour éviter les phénomènes de stiction.