Notre savoir faire comprend la gravure des matériaux III/V divers,divers alliages tels que TaN, TiN, diélectriques, des matériaux magnétiques ou encore ferroélectriques et les traitements et préparations de surface.
Pour réaliser ces gravures, nous avons à notre disposition, 2 systèmes RIE Plasmalab 80+ (Oxford), un système ICP-RIE system Plasmalab 100 (Oxford) à 2 chambres et un système ICP-RIE de la marque Sentech. Un grand nombre de matériaux peut être gravé grâce à la diversité de gaz disponibles: N2, O2, Ar, He, SF6, C4F8, CHF3, CH4, H2, CF4, BCl3, Cl2. Des wafers de 4 pouces sont utilisés mais il est possible par simple collage sur un wafer support de graver des morceaux.
Nous utilisons également les plasmas RF O2 pour les traitements et préparations de surface, ainsi qu’un stripper (PVA Tepla 300) pour les gravures et préparations de surface par plasma micro-ondes de O2/CF4 .
Expertises et savoir-faire: quelques points marquants
- Gravure contrôlée de matériaux III/V tels que GaAs, InP, InGaAs, GaSb, GaN,… par ICP en milieu Chloré.
Réalisation d’un transistor I-MOSFET à base de GaSb (équipe Anode)
- Maîtrise par une étude comparative de la sélectivité de résines e-beam (PMMA, ZEP, CSAR) dans les plasmas ICP ou RIE de chimies SF6 ou Cl2
Comportement de la résine ZEP lors d’une gravure de tranchées 50 nm pitch 150 nm (étude collaborative ressources lithographie et gravure).
- Gravure de multicouches d’assemblages magnéto-électriques
Gravure d’une microstructure en PMN-PT par plasma ICP-RIE Chloré (groupe Aiman-films)
Expertises et savoir-faire: autres
- Traitements de surfaces et nettoyages par plasma O2, SF6/O2 ou Ar/O2
- Préparation de surface avant collage anodique ou thermique par plasma O2 micro-onde
- Gravure du silicium en RIE et ICP-RIE, notamment formation de nanofils de Si,…
- Dérésinage et détéflonage par délaquage des flancs de gravure après procédé Bosch pour améliorer les performances des composants en s’affranchissant du scaloping
Contacts: Timothey Bertrand, Giuseppe Di Gioia, Dmitri Yarekha
