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  GROUPE DE RECHERCHE : NCM

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NCM Group Publications

Only some of the recent publications are listed below. A full list (since 2000) is available here, or by year : 2018, 2017, 2016, 2015, 2014, 2013, 2012, 2011, 2010, 2009, 2008, 2007, 2006, 2005, 2004, 2003, 2002, 2001, 2000.

2018

Molecular Signature of Polyoxometalates in Electron Transport of Silicon-based Molecular Junctions.
M. Laurans, K. Dalla Francesca, F. Volatron, G. Izzet, D. Guerin, D. Vuillaume, S. Lenfant & A. Proust. Nanoscale 10, 17156-17165 (2018). link

Light-stimulable molecules/nanoparticles networks for switchable logical functions and reservoir computing.
Y. Viero, D. Guérin, A. Vladyka, F. Alibart, S. Lenfant, M. Calame & D. Vuillaume. Adv. Func. Mater.  1801506 (2018). link

Neuromorphic time-dependent pattern classification with organic electrochemical transistor arrays.
S. Pecqueur, M. Mastropasqua Talamo, D. Guérin, P. Blanchard,  J. Roncali, D. Vuillaume & F. Alibart. Adv. Electron. Mater. 4, 1800166 (2018). link

Toward a better understanding of the doping mechanism involved in Mo(tfd-COCF3)3 doped PBDTTT-c.
J. Euvrard, A. Revaux, S. S. Nobre, A. Kahn & D. Vuillaume. J. Appl. Phys. 123, 225501 (2018). link

Cation Discrimination in Organic Electrochemical Transistors by Dual Frequency Sensing.
S. Pecqueur, D. Guérin, D. Vuillaume & F. Alibart. Org. Electron. 57, 232-238 (2018). link

Impact of Unintentional Oxygen Doping on Organic Photodetectors.
J. Euvrard, A. Revaux, A. Cantarano, S. Jacob, A. Kahn & D. Vuillaume. Org. Electron. 54, 64-71 (2018). link

The Formation of polymer-dopant aggregates as a possible origin of limited doping efficiency at high dopant concentration.
J. Euvrard, A. Revaux, P.-A. Bayle, M. Bardet, D. Vuillaume & A. Kahn. Org. Electron. 53, 135-140 (2018). link

Optimization of pentacene double floating gate memories based on charge injection regulated by SAM functionalization
LI S., GUERIN D., LENFANT S., LMIMOUNI K. AIP Advances 8, 2 025110 (2018). link


2017
2016
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        • Nicolas DEFRANCE
        • Christophe GAQUIÈRE
        • Marie LESECQ
        • Michel ROUSSEAU
      • Research
        • AlGaN/GaN HEMT thermal modeling and characterization
        • Measurement above 110GHz
        • Modelling of GaN-HEMT for high efficiency power converters
        • Nanoribbon-channel AlGaN/GaN HEMTs
        • New technological routes to improve thermal managements in GaN HEMTs
        • Power performance at 40GHz of AlGaN/GaN HEMTs on silicon substrate
        • Temperature monitoring of operating AlGaN/GaN HEMTs
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  • Soutenance de thèse: Aleksandra LOCZECHIN – Les nanomatériaux en carbone : des alternatives antibactériennes et antivirales12 décembre 2019 - 15 h 38 min
  • Soutenance de thèse: Mohammed SAMNOUNI – Fabrication et caractérisation de HEMT InP pour amplification faible bruit THz9 décembre 2019 - 18 h 08 min

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Lundi - Jeudi: 8:30 à 12:00 | 13:30 à 16:30
Vendredi: 8:30 à 12:00 | 13:30 à 16:00
Samedi - Dimanche: Fermé

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