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GROUPE DE RECHERCHE : NCM
GROUPE DE RECHERCHE : NCM
GROUPE DE RECHERCHE : NCM


Fabien ALIBART
Chargé de Recherche
+33 (0)3 20 19 79 07
Fabien.alibart@univ-lille.fr

I am a research scientist with skills from material sciences to electrical engineering and computing. My main interest is in the development of new hardware solutions for innovative computing paradigms (i.e. bio-inspired) and interfaces with biology.

EDUCATION
2004-2008 – 
PhD THESIS – UPJV Amiens-(FRANCE)
Laboratoire de Physique des Couches Minces (LPMC), M. BENLAHSEN
Realization and characterization of Amorphous Carbon Thin Films (optoelectronics and microstructural properties).
Realization and development of carbon-based electronic devices (OLED and Organic FET).

CURRENT POSITION
2017 – PERMANENT RESEARCHER – LN2-3IT/CNRS (Sherbrooke – CANADA)
Associated to the LN2-3IT laboratory, University of Sherbrooke, as part of international exchange between CNRS and UdeS.
Development of memristive circuits and devices for neuromorphic computing. Development of BEOL integration of memristive devices. Exploration of new integration strategies for 3D memory devices architectures.

PREVIOUS POSITIONS
2012 to 2017 – PERMANENT RESEARCHER – IEMN-CNRS (FRANCE)
Rank 1st among 120+ candidates for the tenure position. PI of the neuromorphic devices team – Nanostructure, Components and Molecules group (NCM)
Development of memristive circuits and devices for neuromorphic computing. Fabrication and integration of oxide-based memory (TiO2 and HfO2), electrochemical metallization memory (Ag/Ag2S) and organic-based memory. Opto-electronic interfaces to in-vitro cells’ culture.
2010 to 2012 – POST-DOC – Univ. California Santa Barbara (USA)
Novel Electronic Devices and Computing System Group, D. B. STRUKOV
Starting the experimental activity of the group by developing the processes (cleanroom facility) and characterization setup (electrical measurement) of the memristive devices.
Development of analog memory devices, circuits and neuromorphic applications
2008-2010 – POST-DOC – IEMN-CNRS (FRANCE)
Nanostructure, Components and Molecules group (NCM), D. VUILLAUME
Associated to the European Project NABAB (ICT-FP7) – C. GAMRAT
Realization and characterization of neuro-inspired synaptic devices (NPs/OTFT technology)
Implementation of neuro-inspired functions.



GRANTS (with major implication)

  • 2012-2015 : DINAMO           (PI)             ANR – Retour postdoc.
    Development and integration of memory devices for neuromorphic computing (480k€)
  • 2015-2016: M2NP                   (PI)                 PEPS-CNRS
    Development of a multifunctionnal platform for interface with living systems
    Coll. IEMN / JPArc / UdeMons (France) (40k€)
  • 2017-2020: HIDATA             (co-PI)                Strategic-NSERC
    Integration and packaging of passive crossbar arrays for machine learning applications
    Coll. UdeS / UdeT  (Canada)  (1M$)
  • 2018-2023: IONOS                  (PI)              Discovery-NSERC
    Development of iono-electronic materials for neuromorphic computing (110k$)
  • 2018-2023: IONOS                    (PI)                                ERC
    A neuromorphic interface with living systems based on iono-electronic materials
    @ UdeS, IEMN, JPArc (1,9 M€)
  • 2020-2023: UNICO                    (Co-PI)                      Chist-Era
    Developpement of a spiking neuyral network toolkit for Edge Computing applications.
    Coll. UdeS, C2N,UAM, IBM-Zurich, CEZAMAT-PW (1 M€)

SCIENTIFIC PRODUCTION
5 selected publications

1- Neuromorphic Time-Dependent Pattern Classification with Organic Electrochemical Transistor Arrays
S. Pecqueur, …and  F. Alibart, Advanced Electronic Materials, accepted (2018) (7 citations)
doi: 10.1002/aelm.201800166 (arXiv) (hal-01827889)

2- Filamentary switching: synaptic plasticity through device volatility
S. La Barbera, D. Vuillaume and F. Alibart, ACS Nano, 9, 941-949 (2015) (92 citations)
doi: 10.1021/nn506735m (arXiv)

3- Pattern Classification by Memristive Crossbar Circuits with Ex-situ and In-situ Training
F. Alibart, E. Zamanidoost, D. Strukov,  Nature Communication, 4, 2072 (2013) (320 citations)
doi: 10.1038/ncomms3072

4- High-precision tuning of state for memristive devices by adaptable variation-tolerant algorithm
F. Alibart, L. Gao, B. D. Hoskins, D. B. Strukov, Nanotechnology IOP, 23, 075201 (2012) (329 citations)
doi: 10.1088/0957-4484/23/7/075201 (arXiV)

5- An organic-nanoparticle transistor behaving as a biological synapse,
F. Alibart, S. Pleutin, D. Guérin, C. Novembre, S. Lenfant, K. Lmimouni, C. Gamrat, D. Vuillaume, Advanced Functional materials, 20, 330-337 (2010) (245 citations)
doi: http://dx.doi.org/10.1002/adfm.200901335

 

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        • Emilien PEYTAVIT
        • Oleksandr STEPANENKO
        • Joan TURUT
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        • AlGaN/GaN HEMT thermal modeling and characterization
        • Measurement above 110GHz
        • Modelling of GaN-HEMT for high efficiency power converters
        • Nanoribbon-channel AlGaN/GaN HEMTs
        • New technological routes to improve thermal managements in GaN HEMTs
        • Power performance at 40GHz of AlGaN/GaN HEMTs on silicon substrate
        • Temperature monitoring of operating AlGaN/GaN HEMTs
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