La zone photolithographie est équipée de 2 aligneurs de masques optiques MA6/BA6 (6 inch) N°750 et 834 de marque Suss MicroTec.
Passage de la génération GEN 2 à GEN 4 permettant la continuité des maintenances curatives et préventives sur plus de 7 ans.
Résolution < 1µm en mode vacuum contact et en alignement face avant TSA < 0,5 µm. Résolution < 1µm en mode Vacuum contact et alignement face arriere BSA < 1 µm Acquisition Video pour alignement wafer / masque en TSA / BSA Portes Wafer: 1/4, 1/2 de 2", 2", 3", 4" avec portes masques optiques 4", 5". Démarche éco-responsable, avec une baisse de la consommation d'énergie, de l’azote et de l’air comprimé consommées et passage en UV LED qui permettra la suppression des lampes à mercure nocives pour l’environnement et très coûteuses. UV-LED: 10 000 Heures de fonctionnement. [/av_textblock] [/av_two_third][av_heading heading='Expertises et savoir-faire: quelques points marquants' tag='h6' link_apply='' link='' link_target='' style='' size='' subheading_active='' subheading_size='15' margin='' padding='15' color='' custom_font='' custom_class='' admin_preview_bg='' av-desktop-hide='' av-medium-hide='' av-small-hide='' av-mini-hide='' av-medium-font-size-title='' av-small-font-size-title='' av-mini-font-size-title='' av-medium-font-size='' av-small-font-size='' av-mini-font-size='' av_uid='av-3tmbpm'][/av_heading] [av_three_fifth first min_height='' vertical_alignment='' space='' custom_margin='' margin='0px' padding='0px' border='' border_color='' radius='0px' background_color='' src='' background_position='top left' background_repeat='no-repeat' animation='' av_uid='av-zcavju'] [av_textblock size='' font_color='' color='' av_uid='av-yazfcq'] - Technologie pont à air métallique par électrolyse (2 à 5µm) à l’aide d’un bicouche de résine.
[/av_three_fifth]
1. Air bridge, 2µm Au electrolysis (optoelectronics team)
- Cap layer sorting for lift off of metal deposits made by sputtering
2. Lift off of a 3µm Au deposit made by sputtering (NAM6 team)
- Thick resins (SPR, AZ15NXT) for making very deep engravings up to Via-hole by deep dry etching process
3. High aspect ratio structures SPR220 4µm on Si (CSAM team)
Expertise and know-how: other
- Production of structured resin masks (from 300 nm to some 40 µm thick) for dry etching (ICP, RIE, DRIE, RIBE) or wet etching of materials.
- Realization of bi or trilayers of resins as protective masks for implantation, for metallic deposits (evaporation or spraying by the lift-off technique), for electrolysis (Au, Cu, ...)
- Realization of specific annealing with control of the temperature ramps allowing to minimize the constraints in the polymer or for the transfer of materials (graphene, parylene,...).
- Use of thick resins (3 to 5µm) as front protection during mechanical or laser cutting.
