La diffraction d’un faisceau de photons X  par un cristal permet d’analyser finement la structure de celui-ci. L’IEMN est équipé pour l’analyse de la structure physique de matériaux semi-conducteurs monocristallins. Un goniomètre X’Pert Pro à double diffraction de rayons X (DRX) nous permet de mesurer les paramètres importants dans le domaine de la croissance épitaxiale comme le paramètre de maille, la composition des alliages ou encore le taux de relaxation d’un cristal contraint.

This system allows non-destructive testing of samples mounted on an x-y table accepting substrates up to 100 mm in diameter. Main applications:

•  measurements of alloy compositions and layer thicknesses
•  control of the adaptation in mesh parameter with the substrate
•  quality of interfaces in super networks
•  constrained thin films
•  relaxation rate and tilt of mismatched thick layers

L’IEMN est également équipé sur un de ses microsopes électroniques à balayage d’un détecteur type EBSD (diffraction des électrons rétrodiffusés) pour la détermination de l’orientation locale sur matériau cristallin. Nous pouvons ainsi réaliser des analyses quantitatives par cartographies de microstructures, évaluer les orientations de films cristallisés, cartographier des désorientations,…

EBSD

PANalytical X’Pert Pro MRD – DRX