3 bâtis permettent la croissance de semiconducteurs, pour la réalisation d’hétérostructures complexes, de nanostructures ou pour l’étude des matériaux 2D. Un premier réacteur est dédié aux matériaux III-V, arseniés, phosphorés et antimoniés. Le deuxième est réservé à l’étude des matériaux 2D à base de dichalcogénures de métaux de transition. Ces deux bâtis sont reliés entre eux, ainsi qu’à une chambre d’analyse XPS. Un troisième réacteur est dédié à la croissance de graphène et de h-BN.

En plus de ces moyens de croissance, nous disposons d’outils de caractérisation des matériaux pour l’étude des propriétés structurales, optiques et électriques. De plus amples informations sont disponibles dans la rubriques « caractérisations ».

D’autres informations sont également disponibles sur le site du groupe EPIPHY (Contact : Ludovic Desplanque, responsable de groupe)