A l’IEMN, nous avons développé depuis plusieurs années un savoir-faire dans la libération de dispositifs par voie sèche (MEMS, couches actives pour transfert sur flexible…). En effet, la gravure chimique sèche offre une alternative intéressante aux gravures par voie humide puisqu’elle permet d’éviter les effets de stiction, tout en conservant une haute sélectivité et en limitant fortement la corrosion de nombreux métaux. Cette technique est également complémentaire de la gravure plasma parce qu’elle propose une gravure isotrope, une meilleure sélectivité entre les matériaux et qu’elle évite l’endommagement des surfaces avec des vitesses de gravure plus lentes et une absence de bombardement ionique. Actuellement, nous pouvons graver par cette technique 2 matériaux de la filière Si : le Si par XeF2, en utilisant un Bâti Xactix X4, et le SiO2 par HF en phase vapeur, grâce à un Bâti SPTS µEtch (Primaxx).
Expertises et savoir-faire: points marquants
- transfert de couches actives sur flexible
Transistor de la filière GaN transféré sur flexible après amincissement du substrat et gravure de 20µm par XeF2 de la couche restante de Si (équipe Carbon)
- gravure du Si en utilisant des cycles de gravure au XeF2 en phase vapeur présentant une forte sélectivité par rapport à l’oxyde thermique et la résine.
Libération par gravure XeF2 de 10µm de profondeur d’une plateforme de caractérisation thermoélectrique sur membrane de Si de 60nm protégée par du BOX. L’oxyde est ensuite gravé par HF en phase vapeur (équipe MicroélecSi)
- gravure du SiO2, en effectuant des cycles de gravure au HF en phase vapeur offrant une haute sélectivité par rapport au Si et une très bonne compatibilité avec de nombreux matériaux comme le SiC, l’Al, le Pt, l’Au, le Ni, le Cr, le TiW et l’Al2O3.
Sous gravure d’un BOX de 2µm par HF en phase vapeur (équipe Nam6)
Contact: Jean Houpin, Dmitri Yarekha
