Our expertise includes etching of various III/V materials, silicon technology materials such as TaN, TiN, dielectrics, exotic materials such as magnetic, piezoelectric or ferroelectric materials and surface treatments and preparations. To perform these etchings, we have at our disposal 2 RIE systems Plasmalab 80+ (Oxford), a 2-chamber ICP-RIE system Plasmalab 100 (Oxford) and an ICP-RIE system from Sentech. A large number of materials can be etched thanks to the diversity of available gases: N2, O2, Ar, He, SF6, C4F8, CHF3, CH4, H2, CF4, SiCl4, BCl3, Cl2. 4 inch wafers are used but it is possible to etch pieces by simple gluing on a support wafer. We also use RF O2 plasmas (pico) for surface treatments and preparations, as well as a stripper (PVA Tepla 300) for etching and surface preparations by O2/CF4 microwave plasma.
Expertise and know-how: 3 key points
– Gravure contrôlée de matériaux III/V tels que GaAs, InP, InGaAs, GaSb, GaN,… par ICP en milieu Chloré.
1. Réalisation d’un transistor I-MOSFET à base de GaSb (équipe Anode)
– Maîtrise par une étude comparative de la sélectivité de résines e-beam (PMMA, ZEP, CSAR) dans les plasmas ICP ou RIE de chimies SF6 ou Cl2
2. Comportement de la résine ZEP lors d’une gravure de tranchées 50 nm pitch 150 nm (étude collaborative ressources lithographie et gravure).
– Gravure de multicouches d’assemblages magnéto-électriques
3. Gravure d’une microstructure en PMN-PT par plasma ICP-RIE Chloré (groupe Aiman-films)
Expertise and know-how: other
– Traitements de surfaces et nettoyages par plasma O2, SF6/O2 ou Ar/O2
– Préparation de surface avant collage anodique ou thermique par plasma O2 micro-onde
– Gravure du silicium en RIE et ICP-RIE, notamment formation de nanofils de Si,…
– Dérésinage et détéflonage par délaquage des flancs de gravure après procédé Bosch pour améliorer les performances des composants en s’affranchissant du scaloping
