https://www.iemn.fr/wp-content/uploads/2024/10/THESES.jpg277547editorhttps://www.iemn.fr/wp-content/uploads/logos/logo_IEMN.pngeditor2025-12-22 11:55:312025-12-22 11:56:34Corentin Sthioul 11/12/2025 – «Étude de la linéarité et de la fiabilité de composants HEMT GaN pour des applications en gamme d’ondes millimétriques»
https://www.iemn.fr/wp-content/uploads/2024/10/THESES.jpg277547editorhttps://www.iemn.fr/wp-content/uploads/logos/logo_IEMN.pngeditor2025-12-22 11:45:412025-12-22 11:51:18Lyes Ben Hammou 11/12/2025 – «Étude de la linéarité et de la fiabilité de composants HEMT GaN pour des applications en gamme d’ondes millimétriques»
https://www.iemn.fr/wp-content/uploads/2024/10/THESES.jpg277547editorhttps://www.iemn.fr/wp-content/uploads/logos/logo_IEMN.pngeditor2025-12-22 11:32:392025-12-22 11:32:39Amir Al Abdallah – 10/12/2025 – « Étude de la diode Schottky GaN à base de métaux réfractaires pour les applications spatiales à haute température et haute fréquence »
https://www.iemn.fr/wp-content/uploads/2024/10/THESES.jpg277547editorhttps://www.iemn.fr/wp-content/uploads/logos/logo_IEMN.pngeditor2025-12-22 08:25:132025-12-22 12:25:30Adrien Bidaud 8/12/2025 – « Optimisation des procédés de fabrication pour le développement de transistors de puissance en GaN »
Corentin Sthioul 11/12/2025 – «Étude de la linéarité et de la fiabilité de composants HEMT GaN pour des applications en gamme d’ondes millimétriques»
Lyes Ben Hammou 11/12/2025 – «Étude de la linéarité et de la fiabilité de composants HEMT GaN pour des applications en gamme d’ondes millimétriques»
Amir Al Abdallah – 10/12/2025 – « Étude de la diode Schottky GaN à base de métaux réfractaires pour les applications spatiales à haute température et haute fréquence »
Adrien Bidaud 8/12/2025 – « Optimisation des procédés de fabrication pour le développement de transistors de puissance en GaN »