Séminaire JET-SET

1er séminaire du cycle JET SET 2014 avec un séminaire de la plateforme Techno :
26 juin 2014 à 14h00 – Amphi. LCI

« Qu’est-ce qu’une salle blanche et comment la fait-on fonctionner ? »

François Neuilly vous présentera les coulisses de la centrale de micro et nano-fabrication à travers une présentation suivie d’une visite des infrastructures.

_______Programme prévisionnel de cette année :
______– jeudi 25 septembre : JET 2014 sur la/les communication(s)
______– jeudi 20 novembre : SET#2 organisé par la plateforme Champ Proche
______– jeudi 20 janvier 2015 : SET#3 organisé par la plateforme CEM

Journée Nanotechnologies

Projet NANOSCOOPE (ICAM, ISEN, IEMN) et pôles de compétitivité (Maud, Up-Tex, i-Trans, Team2, NSL)

 

Développement des nanomatériaux et nanotechnologies en Région Nord – Pas de Calais : enjeux et perspectives
25 juin 2014 – 9h30 à 17h  – IEMN, Cité Scientifique, Avenue Poincaré, 59652 Villeneuve d’Ascq

 

Le projet NANOSCOOPE est un projet chercheurs-citoyens financé par la Région Nord – Pas de Calais et consacré aux enjeux du développement des nanomatériaux et nanotechnologies. En lien à différents pôles de compétitivité de la Région, le projet organise le mercredi 25 juin une journée à destination spécifique du monde socio-économique. Les nanotechnologies sont riches de promesses dans de nombreux domaines (matériaux, énergie, santé, textile, électronique, bâtiment, etc.), mais de nombreuses incertitudes (notamment sanitaires) pèsent sur leur développement. L’objet de la journée est de présenter des applications faisant usage des nanomatériaux et nanotechnologies, et de questionner le contexte règlementaire, sanitaire et sociétal dans lequel elles s’inscrivent. Il s’agira également de susciter une réflexion collective sur les avantages et les risques liés aux différentes avancées en ce domaine.


Programme détaillé

Inscription gratuite et obligatoire par courriel à :
fernand.doridot@icam.fr


 

Rencontre thématique « Phononique, Métamatériaux acoustiques, Optomécanique »

La prochaine réunion du groupe thématique GT2 du GDR « Ondes » aura lieu les 19 et 20 Juin 2014 au laboratoire central de l’IEMN, Villeneuve d’Ascq

 

  Journée du 19 juin 2014   Journée du 20 juin 2014
 La première journée sera consacrée aux matériaux phononiques avec le but de favoriser les échanges entre nos deux communautés. Trois exposés sont prévus pour présenter les thématiques générales sur les cristaux phononiques, les métamatériaux acoustiques et l’interaction du son et de la lumière dans les structures optomécaniques :
Vincent Tournat (LAUM, Université du Maine:
Cristaux granulaires phononiques : non-linéarités et influence de la micro-rotation
Geoffroy Lerosey (Institut Langevin, espci
:
Matériaux composites localement résonants: métamatériaux ou cristaux pho(t/n)oniques sub-longueur d’onde ? Le cas des canettes de soda en acoustique
Ivan Favero (Laboratoire MPQ, Université Paris-Diderot) :
On-chip nano-optomechanics
La deuxième journée portera sur des thèmes traditionnels du GDR et pourra couvrir toutes les thématiques du GT2 (nano-optique, cristaux photoniques, métamatériaux, microcavités, milieux complexes, biophotonique).
Cette rencontre permettra à chacun de soumettre sa dernière contribution, achevée ou en cours, avec une attention particulière donnée aux travaux des doctorants. Les contributions peuvent être présentées sous forme de communication orale ou par affiche.

 

Soumission des contributions :

Merci d’envoyer vos contributions (1 page de résumé au format PDF en utilisant le canevas suivant : canevas.doc )
– à Yan Pennec (yan.pennec@univ-lille1.fr) pour la première journée
– ou à Eric Lheurette (eric.lheurette@iemn.univ-lille1.fr) pour la deuxième.

Nous demandons à toutes les personnes participant à la réunion (présentant un exposé ou non) de s’inscrire auprès de Yan Pennec (yan.pennec@univ-lille1.fr) ou de Eric Lheurette (eric.lheurette@iemn.univ-lille1.fr), en remplissant la fiche d’inscription page suivante : inscription.doc

 

 Inscription obligatoire (pour des questions d’organisation de repas)  
  Date limite (inscription et soumission des résumés) : 23 Mai 2014      

 

Demandes de remboursement par le GDR

Toute demande de remboursement des frais de transport et d’hébergement sera examinée par les organisateurs de la manifestation. En cas d’approbation, une fiche de renseignements sera transmise au bénéficiaire et devra être retournée à Karima Lamrid (gestion-gdrondes@supelec.fr) pour un remboursement a posteriori. Les demandes motivées doivent être transmises (yan.pennec@univ-lille1.fr, eric.lheurette@iemn.univ-lille1.fr) le 23 Mai 2014 au plus tard.

 

Yan Pennec (yan.pennec@univ-lille1.fr),
Vincent Laude (vincent.laude@femto-st.fr)
Eric Lheurette (eric.lheurette@iemn.univ-lille1.fr)
Eric Cassan (eric.cassan@ief.fr)
Alexandre Bouhelier (alexandre.bouhelier@u-bourgogne.fr)

 

 

 

 

Visite de Xavier INGLEBERT à l’IEMN


L’assemblée générale régionale des personnels CNRS fonction support s’est déroulée dans l’amphithéâtre du Laboratoire Central de Villeneuve d’Ascq, le 3 avril dernier.
Xavier INGLEBERT, directeur général délégué aux ressources du CNRS, l’a présidée. Après avoir exposé les grands axes stratégiques de l’année en cours et ceux de l’année prochaine, il s’est prêté au jeu des questions-réponses.

 

Séminaire Activités LN2 Sherbrooke

Activités de recherche au laboratoire « Microélectronique III-V» de l’université de Sherbrooke

Professeur Hassan MAHER
18 avril à 14h – Salle du conseil

La grande demande en termes de composants performants, miniatures et surtout à grand rendement énergétique, est de plus en plus présente sur le marché des produits à base de semiconducteurs. Ce besoin est ressenti à tous les niveaux de la fabrication du composant, depuis l’épitaxie jusqu’au packaging du produit final en passant par les procédés de fabrication en salle blanche. L’acteur principal dans cette course de haut niveau est la filière silicium qui, par la grande maturité de sa technologie, arrive à faire un effort considérable sur la miniaturisation du composant tout en étant très limitée par les propriétés physiques du matériau. Ceci présente une grande opportunité pour les semiconducteurs III-V qui offrent un choix très varié de binaires (InP, GaAs, GaN, AlN, InAs, InSb, GaSb, InN ……) avec des propriétés électriques et optiques dépassant largement celles du matériau historique. Dans le domaine de la microélectronique, cette famille de matériaux est utilisée principalement pour les transistors HEMTs (High Electron Mobility Transistor) et HBTs (Heterojunction Bipolar Transistor) qui sont, de nos jours, en tête de course vers le seuil symbolique du Tera-Hertz. La mise au point et la fabrication de circuits à base de ces composants exigent une très grande expertise dans le domaine de la micro et nano-fabrication.

Coherent terahertz

  L’IEMN et l’université d’OSAKA ont démontré une transmission térahertz cohérente ultra-sensible. A la fréquence 200 GHz, 10 Gbit/s ont été transférés avec une puissance inférieure à 2 µW. Cette étape importante vers les transmissions THz cohérentes a été réalisée dans le cadre de l’ANR franco-japonaise « WITH », dans laquelle l’IEMN a été en charge avec l’université d’OSAKA (Groupe de T. Nagatsuma) de la réalisation des systèmes de transmission THz.  

Coherent THz communication at 200 GHz using a frequency comb, UTC-PD and electronic detection

Source: Electronics Letters, Volume 50, Issue 5, 27 February 2014, p. 386 – 388

Author(s): G. Ducournau 1 ; Y. Yoshimizu 2 ; S. Hisatake 2 ; F. Pavanello 1 ; E. Peytavit 1 ; M. Zaknoune 1 ; T. Nagatsuma 2 ; J.-F. Lampin 1

A combined research effort in France and Japan has produced a real-time photonic-based 10 GBit/s terahertz link with shown long term performance and an ultra-low power requirement at the receiver, using a coherent detection scheme.

Laws and limits

It has been observed that the current demand for greater bandwidth to provide new services like video streaming on mobile devices is driving an increase in available data rates in a predictable pattern – Edholm’s law of bandwidth. Like Moore’s law for transistor counts on integrated circuits, Edholm’s law observed that telecommunication data rates have doubled every 18 months, and predicts that they will continue to do so.

The currently used radio bands are heavily allocated, data rate limited and near saturation. One of the avenues of research that is being explored to address this problem is terahertz communication. The challenges of working in the THz regime are balanced by the massive potential to unlock very high data rates for end-users in a large new carrier frequency space for wireless communications.

 

The transmitter (inset) and the receiver of the system.

Fresh pastures

Most THz communication systems use Schottky-based direct detection to produce error-free and effective transmission systems. However, a current limitation with such systems that bars them from everyday application is that the link budgets (the losses between emission and detection) are strongly limited by the currently available emitter and receiver circuit technologies.

Using coherent detection, where the receiver is phase locked to the carrier wave, can drastically reduce the minimum power required to establish and maintain an effective wireless link. This is because it reduces the required number of photons per bit of transmitted data. This, of course, reduces pressure on the link budget requirements and could open up real-world applications of Thz communication. The main challenge with coherent schemes is the need for good synchronisation between the emitter and receiver.

Several research groups around the world have reported impressive results in THz communications but the key issue that remains in achieving robust THz links is obtaining long term error-free performance, which is required for real-time applications like video streaming.

An enduring link

In their Letter, the combined team from Université Lille1/CNRS and Osaka University report the first realisation of a real-time 10 Gbit/s wireless link at 200 GHz using a photonics-based source, with ultra-low required power at reception. They have demonstrated long term performance without the use of signal processing.

An eye diagram of a 10 Gbit/s signal sent and received using the system.

“The achievement of a real-time and robust coherent wireless link using a photonics-based optical source above 120 GHz is a key point in demonstrating that photonics-based THz generation is effective for THz links,” said team member Dr Guillaume Ducournau. “Our achievement relies on the combination of a very stable photonics frequency comb at emission, an efficient THz emitter (a unitravelling carrier photodiode) and a very high sensitivity coherent receiver.”

Pocket Terahertz

The authors are now working on increasing the data-rates achievable with their system by using other carrier frequencies. The researchers responsible for the work come from THz Photonics Group of the Institut d’Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) at Université Lille1/CNRS and the Graduate School of Engineering Science at Osaka University. The Lille group’s main interests are in THz sources using photomixing techniques at 1.55 and 0.8 µm and the application of these to wireless data links, THz instrumentation for imaging and THz near-field and nonreciprocity.

Looking to the next decade in this area, Dr Ducournau sees the potential for this kind of technology to move toward ubiquity. “The realisation of THz communications may rely on stable, robust THz emission chips, including power amplifiers at emission and low noise amplifiers at reception. Solid-state electronics are going higher and higher, and in the next decade all the building blocks of traditional communications at Wi-Fi frequencies will be available, leading to ultra-fast connections in the end-user’s pocket.”

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Journées Nationales du Réseau Doctoral en Microélectronique

Pour la 2ème fois depuis la création des JNRDM, l’événement aura lieu à Lille les 26-27-28 mai 2014. Cette 17ème édition est organisée par l’IEMN sur le site de l’Université Lille 1 – Sciences et Technologies, dans les locaux de l’École Centrale de Lille.

L’objectif de ces journées est de permettre aux jeunes chercheurs de présenter leurs travaux dans le cadre du rassemblement des acteurs de la recherche française en micro-nanoélectronique. Cette conférence est donc l’opportunité pour les doctorants, les partenaires industriels et les chercheurs de se rencontrer et d’échanger sur l’ensemble des thématiques concernant la microélectronique et les nanotechnologies, renforçant ainsi le réseau à l’échelle nationale, notamment au travers des pôles français du RDEMN.

Un peu d’histoire ….

C’est dans le cadre du fort développement de la microélectronique et des nanotechnologies que s’est créé en 1998 le Réseau Doctoral Européen en Micro Nanoélectronique (RDEMN). Ce réseau, soutenu par le Ministère de l’Éducation Nationale, de l’Enseignement Supérieur et de la Recherche, est géré par des doctorants et des responsables permanents du Comité national de Formation en Microélectronique (CNFM).

Depuis sa création, le réseau soutient l’organisation des Journées Nationales du Réseau Doctoral en Microélectronique (JNRDM) qui se déroulent chaque année pendant trois jours. L’originalité de cette conférence réside dans le fait que son comité de pilotage est uniquement composé de doctorants. Les JNRDM sont l’évènement majeur annuel du RDEMN. Cette manifestation est ouverte à l’ensemble des acteurs de la communauté scientifique en micro-nanoélectronique.

150 intervenants sont attendus et les sessions seront accessibles à tout public.

Les JNRDM offrent la possibilité d’échanger des idées nouvelles et de se tenir informé(e) des avancements les plus récents sur les thématiques actuelles de recherche en micro-nanoélectronique.

Date de limite de soumission : Close depuis le 16 mars 2014
Notification d’acceptation : 31 mars 2014

 > > Pour en savoir plus

 


JNRDM 2014

Journées Nationales du Réseau Doctoral en Microéletronique

Pour 2ème fois depuis la création des JNRDM, l’événement aura lieu à Lille les 26-27-28 mai 2014. Cette 17ème édition est organisée par l’IEMN sur le site de l’Université Lille 1 – Sciences et Technologies, dans les locaux de l’École Centrale de Lille.

L’objectif de ces journées est de permettre aux jeunes chercheurs de présenter leurs travaux dans le cadre du rassemblement des acteurs de la recherche française en micro-nanoélectronique. Cette conférence est donc l’opportunité pour les doctorants, les partenaires industriels et les chercheurs de se rencontrer et d’échanger sur l’ensemble des thématiques concernant la microélectronique et les nanotechnologies, renforçant ainsi le réseau à l’échelle nationale, notamment au travers des pôles français du RDEMN.

Un peu d’histoire ….

C’est dans le cadre du fort développement de la microélectronique et des nanotechnologies que s’est créé en 1998 le Réseau Doctoral Européen en Micro Nanoélectronique (RDEMN). Ce réseau, soutenu par le Ministère de l’Éducation Nationale, de l’Enseignement Supérieur et de la Recherche, est géré par des doctorants et des responsables permanents du Comité national de Formation en Microélectronique (CNFM).

Depuis sa création, le réseau soutient l’organisation des Journées Nationales du Réseau Doctoral en Microélectronique (JNRDM) qui se déroulent chaque année pendant trois jours. L’originalité de cette conférence réside dans le fait que son comité de pilotage est uniquement composé de doctorants. Les JNRDM sont l’évènement majeur annuel du RDEMN. Cette manifestation est ouverte à l’ensemble des acteurs de la communauté scientifique en micro-nanoélectronique.

150 intervenants sont attendus et les sessions seront accessibles à tout public.

Les JNRDM offrent la possibilité d’échanger des idées nouvelles et de se tenir informé(e) des avancements les plus récents sur les thématiques actuelles de recherche en micro-nanoélectronique.

Date de limite de soumission : Close depuis le 16 mars 2014
Notification d’acceptation : 31 mars 2014

 

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Une combinaison record en terme de résistance à l’état passant et de tension de claquage

Combinaison de faible résistance d’accès et de forte tension de claquage sur des transistors à base de GaN sur substrat de silicium

L’Institut d’Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) en France et la compagnie EpiGaN basée en Belgique ont annoncé une combinaison record en terme de résistance à l’état passant et de tension de claquage sur des transistors à double hétérojonction utilisant un canal en GaN et une couche de barrière en AlN dont la croissance est réalisée sur substrat de silicium (N. Herbecq et al, Appl. Phys. Express, 034103, 2014).

Les deux équipes sont parvenues à maîtriser le problème de conduction parasite sous très fort champ électrique par gravure localisée du substrat en face arrière spécifiquement entre les électrodes de grille et de drain. Cette innovation technologique couplée à une configuration de couche d’épitaxie optimisée pour délivrer de forte densité de courant leur a permis de démontrer une combinaison unique avec une tension de claquage de 1.9 kV associée à une résistance à l’état passant de 1.6 mΩcm2.

Les chercheurs pensent que cette approche pourrait permettre d’atteindre 3 kV sur des composants GaN-sur-silicium par l’extension de la distance grille-drain à 30 µm tout en maintenant une faible résistance à l’état passant inférieure à 5mΩ-cm2. Ceci permettrait d’envisager l’utilisation de cette filière pour des applications au-delà de 1 kV et ainsi réduire de manière significative la taille des modules existants dans ce cadre ainsi que d’augmenter leur efficacité énergétique.

 

 Etat de l’art de la résistance spécifique à l’état passant
en fonction de la tension de claquage pour les transistors GaN-sur-silicium

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Recherche et entreprises : des partenariats à développer

Article complet paru en février dans CCI le mag – Edition Grand Hainaut N°25 sur le site de la CCI