La première démonstration de la fabrication de transistors de puissance en onde millimétrique de type HEMT AlGaN/GaN sur substrat silicium (110)

La première démonstration de la fabrication de transistors de puissance en onde millimétrique de type HEMT AlGaN/GaN sur substrat silicium (110) hautement résistif a été réalisée à l’IEMN en collaboration avec le CRHEA [A. SOLTANI et al., IEEE Electron Device Letters, publié en ligne le 7mars 2013].

Usuellement, ces hétérostructures sont obtenus par épitaxie par jet moléculaire sur substrat silicium orienté (111). Cependant la croissance des phases wurtzite AlN/GaN semble plus favorable sur silicium orienté (110) et permet d’obtenir des couches libres de craquelures et une qualité matériau améliorée.

L’épitaxie présente d’excellentes caractéristiques de transport électronique avec une résistance carrée de 245 W/ÿ, une mobilité de 2045 cm2/V.s et une densité de porteurs dans le puits de 1.21´1013 cm-2. Des transistors ayant une longueur de grille de 60nm et un recess de grille de 10nm ont démontré les potentialités de ces structures pour un fonctionnement en bande Ka avec une densité de puissance hyperfréquence de 3.3W/mm associée à un rendement en puissance ajouté de 20.1% et un gain en puissance de 10.6dB à 40GHz. Ces transistors présentent un courant drain-source de 1.55A/mm et une transconductance maximale de 476mS/mm.

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Fig.1: Structure of the AlGaN/GaN HEMT on (110) oriented silicon substrate.

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Fig.2: SEM picture of the T-shaped 60 nm gate length fabricated with the nitride-gate technology

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http://www.semiconductor-today.com/news_items/2013/MAR/IEMN_210313.html

Author(s): Soltani, A.
Institut d’Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie, Centre National de Recherche Scientifique (IEMN/CNRS), Villeneuve d’Ascq, France
Gerbedoen, J.-C.; Cordier, Y.; Ducatteau, D.; Rousseau, M.; Chmielowska, M.; Ramdani, M.; De Jaeger, J.-C.

Visite de Madame SCHMIDT-LAINE, directrice de l’INSIS

Le 25 juin dernier, la directrice de l’INSIS, madame Claudine SCHMIDT-LAINE, dans le cadre de sa tournée de l’ensemble des laboratoires de l’institut , est venue à l’IEMN. Accompagnée de Laurent NICOLAS, directeur adjoint scientifique et de Béatrice DAGENS, chargée de mission , ils ont été accueillis au laboratoire central par Lionel BUCHAILLOT, directeur du laboratoire, et son adjoint Gilles DAMBRINE en présence de Madame  Françoise PAILLOUS, déléguée régionale  et de son adjoint Vincent BENAVENT.

 

 

Après une présentation du laboratoire  à ses hôtes de marque, Lionel BUCHAILLOT  a  entamé une visite du laboratoire  à laquelle  ses visiteurs  ont été sensibles. En effet, les questions  ont été nombreuses  pour les  responsables des équipements techniques  et les chercheurs qui furent  enthousiastes face à cette marque d’intérêt.

 

 

Enfin, Laurent NICOLAS  avait invité l’ensemble des personnels  dans l’amphithéâtre  pour un échange. Celui-ci fut tout d’abord  timide  puis les questions  devinrent plus nombreuses mais aussi de plus  en plus  pertinentes  quant aux orientations de l’INSIS dans le contexte actuel de moyens.

 

La visite des représentants  de l’INSIS se poursuivit l’après-midi chez nos collègues de l’IRCICA.

Réseau RENATECH : journée des utilisateurs de grandes centrales de micro et nanotechnologies

Cette journée annuelle s’adresse à l’ensemble de la communauté scientifique afin de présenter les principales thématiques de recherche du réseau, ses moyens et compétences technologiques spécifiques ainsi que l’accès aux équipements et les conditions de leur utilisation. Des visites des centrales technologiques RENATECH et des salles blanches seront également proposées. Cette rencontre se déroulera le 19 mars 2012 au sein des laboratoires hébergeurs.