Dans le cadre du Plan d’Equipement Pluriannuel pour la Recherche en Electronique (PEPR), l’IEMN s’est doté d’un double réacteur d’épitaxie destiné à la croissance de semiconducteurs essentiels pour la fabrication de composants pour les télécommunications à très haut débit et l’optoélectronique THz.
Ce nouveau système, conçu par la société RIBER, comprend deux chambres connectées sous ultra-vide permettant à la fois un contrôle accru des propriétés des couches semiconductrices III-V épitaxiées mais également de nouvelles opportunités pour leur intégration sur Silicium ou pour le développement de nouvelles fonctionnalités basées sur la croissance sélective à l’échelle nanométrique.

Dans le cadre du PEPR Electronique, et grâce à un financement complémentaire par le FEDER, la centrale de Micro-nanofabrication de l’IEMN s’est doté d’un nouveau double réacteur d’épitaxie par jets moléculaires. Ce nouveau système, mis au point par RIBER, est constitué de deux chambres de croissance. La première de type C21-DZ est équipée de craqueurs à vanne comme sources de phosphore, d’arsenic et d’antimoine, de cellules à double filament pour l’effusion des éléments III (In, Ga et Al), et de sources de Si, de Béryllium et de Carbone pour le dopage. Un système EZCurve permettra également de mesurer la déflection du substrat pendant la croissance afin de mesurer précisément la contrainte des alliages et d’en assurer précisément la composition.