Hétérostructures pour le transport vertical : TFET, HBT, UTC, photodiodes, diodes thermioniques
– Collaborations : Photonique THz, Anode
– Projet: PEPR Electronique
Hétérostructures à base de GaAs basse température pour photodétecteurs rapides, modulateurs IR
– Collaborations : Photonique THz
– Projet: ANR BIRD (Broadband mId-infRared semiconductor moDulators – S. Barbieri)
Hétérostructures haute mobilité à base de InGaAs pour HEMTs et études de transport
– Collaborations : Anode, Physique, UC Louvain
– Projet: ANR DIRAC35 (C. Delerue)
– Fait saillant : Structure électronique de graphène artificiel fabriqué à partir d’un point d’InGaAs perforé (Nano Letters 21, 680 (2021))
