L’IEMN est internationalement reconnu pour sa maîtrise de la fabrication de composants pour l’électronique et la photonique hautes fréquences, de l’épitaxie des structures jusqu’à la technologie et la caractérisation des dispositifs, au coeur des systèmes de télécommunications à très haut débit (5G/6G).

L’optimisation des hétérostructures semiconductrices par épitaxie est cruciale pour améliorer les performances fréquentielles et réduire la consommation des composants. Les matériaux III-V,développés par le groupe EPIPHY, offrent une grande variété d’alignements de bandes. Récemment, le groupe a commencé à travailler sur des matériaux 2D comme le graphène/hBN et les chalcogénures de métaux de transition (MoSe2, WSe2, InSe…), qui offrent de nouvelles possibilités d’alignement de bandes et de fonctionnalités. L’IEMN, grâce à ses systèmes de croissance sous ultravide et son expertise en épitaxie sélective de nanostructures de semiconducteurs III-V, envisage de nouvelles voies d’intégration de matériaux 2D dans les futures générations de circuits THz.

Ce poste, dans sa dimension recherche, a pour objectif de renforcer le groupe Epiphy dans les domaines de la croissance des matériaux et de la micro-nano-fabrication de composants électroniques à partir de ces matériaux. Nous considérerons aussi les profils disposant de compétences technologiques, même sans expérience préalable en épitaxie par jets moléculaires, mais ouverts à s’investir dans ce domaine.

Thématique Composants THz dans PIA Nanofutur. Action transverse « mAtériaux biDimensIonnels pour les Composants élecTroniques (ADICT) » dans le cadre du PEPR Electronique 2021 (EPIPHY responsable de la tâche « démonstrateurs composants » + co-encadrement d’une thèse avec le groupe CARBON). Nouveau réacteur d’épitaxie par jets moléculaires financé dans le cadre du PEPR Electronique en cours d’installation.

Participation au COST OPERA (European Network for Innovative and Advanced Epitaxy) 2022-2026.