L’assemblée générale régionale des personnels CNRS fonction support s’est déroulée dans l’amphithéâtre du Laboratoire Central de Villeneuve d’Ascq, le 3 avril dernier.
Xavier INGLEBERT, directeur général délégué aux ressources du CNRS, l’a présidée. Après avoir exposé les grands axes stratégiques de l’année en cours et ceux de l’année prochaine, il s’est prêté au jeu des questions-réponses.
Professeur Hassan MAHER
18 avril à 14h – Salle du conseil
La grande demande en termes de composants performants, miniatures et surtout à grand rendement énergétique, est de plus en plus présente sur le marché des produits à base de semiconducteurs. Ce besoin est ressenti à tous les niveaux de la fabrication du composant, depuis l’épitaxie jusqu’au packaging du produit final en passant par les procédés de fabrication en salle blanche. L’acteur principal dans cette course de haut niveau est la filière silicium qui, par la grande maturité de sa technologie, arrive à faire un effort considérable sur la miniaturisation du composant tout en étant très limitée par les propriétés physiques du matériau. Ceci présente une grande opportunité pour les semiconducteurs III-V qui offrent un choix très varié de binaires (InP, GaAs, GaN, AlN, InAs, InSb, GaSb, InN ……) avec des propriétés électriques et optiques dépassant largement celles du matériau historique. Dans le domaine de la microélectronique, cette famille de matériaux est utilisée principalement pour les transistors HEMTs (High Electron Mobility Transistor) et HBTs (Heterojunction Bipolar Transistor) qui sont, de nos jours, en tête de course vers le seuil symbolique du Tera-Hertz. La mise au point et la fabrication de circuits à base de ces composants exigent une très grande expertise dans le domaine de la micro et nano-fabrication.
L’IEMN et l’université d’OSAKA ont démontré une transmission térahertz cohérente ultra-sensible. A la fréquence 200 GHz, 10 Gbit/s ont été transférés avec une puissance inférieure à 2 µW. Cette étape importante vers les transmissions THz cohérentes a été réalisée dans le cadre de l’ANR franco-japonaise « WITH », dans laquelle l’IEMN a été en charge avec l’université d’OSAKA (Groupe de T. Nagatsuma) de la réalisation des systèmes de transmission THz.
Source: Electronics Letters, Volume 50, Issue 5, 27 February 2014, p. 386 – 388
Author(s): G. Ducournau 1 ; Y. Yoshimizu 2 ; S. Hisatake 2 ; F. Pavanello 1 ; E. Peytavit 1 ; M. Zaknoune 1 ; T. Nagatsuma 2 ; J.-F. Lampin 1
A combined research effort in France and Japan has produced a real-time photonic-based 10 GBit/s terahertz link with shown long term performance and an ultra-low power requirement at the receiver, using a coherent detection scheme.
It has been observed that the current demand for greater bandwidth to provide new services like video streaming on mobile devices is driving an increase in available data rates in a predictable pattern – Edholm’s law of bandwidth. Like Moore’s law for transistor counts on integrated circuits, Edholm’s law observed that telecommunication data rates have doubled every 18 months, and predicts that they will continue to do so.
The currently used radio bands are heavily allocated, data rate limited and near saturation. One of the avenues of research that is being explored to address this problem is terahertz communication. The challenges of working in the THz regime are balanced by the massive potential to unlock very high data rates for end-users in a large new carrier frequency space for wireless communications.
The transmitter (inset) and the receiver of the system.
Most THz communication systems use Schottky-based direct detection to produce error-free and effective transmission systems. However, a current limitation with such systems that bars them from everyday application is that the link budgets (the losses between emission and detection) are strongly limited by the currently available emitter and receiver circuit technologies.
Using coherent detection, where the receiver is phase locked to the carrier wave, can drastically reduce the minimum power required to establish and maintain an effective wireless link. This is because it reduces the required number of photons per bit of transmitted data. This, of course, reduces pressure on the link budget requirements and could open up real-world applications of Thz communication. The main challenge with coherent schemes is the need for good synchronisation between the emitter and receiver.
Several research groups around the world have reported impressive results in THz communications but the key issue that remains in achieving robust THz links is obtaining long term error-free performance, which is required for real-time applications like video streaming.
In their Letter, the combined team from Université Lille1/CNRS and Osaka University report the first realisation of a real-time 10 Gbit/s wireless link at 200 GHz using a photonics-based source, with ultra-low required power at reception. They have demonstrated long term performance without the use of signal processing.
An eye diagram of a 10 Gbit/s signal sent and received using the system.
“The achievement of a real-time and robust coherent wireless link using a photonics-based optical source above 120 GHz is a key point in demonstrating that photonics-based THz generation is effective for THz links,” said team member Dr Guillaume Ducournau. “Our achievement relies on the combination of a very stable photonics frequency comb at emission, an efficient THz emitter (a unitravelling carrier photodiode) and a very high sensitivity coherent receiver.”
The authors are now working on increasing the data-rates achievable with their system by using other carrier frequencies. The researchers responsible for the work come from THz Photonics Group of the Institut d’Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) at Université Lille1/CNRS and the Graduate School of Engineering Science at Osaka University. The Lille group’s main interests are in THz sources using photomixing techniques at 1.55 and 0.8 µm and the application of these to wireless data links, THz instrumentation for imaging and THz near-field and nonreciprocity.
Looking to the next decade in this area, Dr Ducournau sees the potential for this kind of technology to move toward ubiquity. “The realisation of THz communications may rely on stable, robust THz emission chips, including power amplifiers at emission and low noise amplifiers at reception. Solid-state electronics are going higher and higher, and in the next decade all the building blocks of traditional communications at Wi-Fi frequencies will be available, leading to ultra-fast connections in the end-user’s pocket.”
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Pour la 2ème fois depuis la création des JNRDM, l’événement aura lieu à Lille les 26-27-28 mai 2014. Cette 17ème édition est organisée par l’IEMN sur le site de l’Université Lille 1 – Sciences et Technologies, dans les locaux de l’École Centrale de Lille.
L’objectif de ces journées est de permettre aux jeunes chercheurs de présenter leurs travaux dans le cadre du rassemblement des acteurs de la recherche française en micro-nanoélectronique. Cette conférence est donc l’opportunité pour les doctorants, les partenaires industriels et les chercheurs de se rencontrer et d’échanger sur l’ensemble des thématiques concernant la microélectronique et les nanotechnologies, renforçant ainsi le réseau à l’échelle nationale, notamment au travers des pôles français du RDEMN.
C’est dans le cadre du fort développement de la microélectronique et des nanotechnologies que s’est créé en 1998 le Réseau Doctoral Européen en Micro Nanoélectronique (RDEMN). Ce réseau, soutenu par le Ministère de l’Éducation Nationale, de l’Enseignement Supérieur et de la Recherche, est géré par des doctorants et des responsables permanents du Comité national de Formation en Microélectronique (CNFM).
Depuis sa création, le réseau soutient l’organisation des Journées Nationales du Réseau Doctoral en Microélectronique (JNRDM) qui se déroulent chaque année pendant trois jours. L’originalité de cette conférence réside dans le fait que son comité de pilotage est uniquement composé de doctorants. Les JNRDM sont l’évènement majeur annuel du RDEMN. Cette manifestation est ouverte à l’ensemble des acteurs de la communauté scientifique en micro-nanoélectronique.
150 intervenants sont attendus et les sessions seront accessibles à tout public.
Les JNRDM offrent la possibilité d’échanger des idées nouvelles et de se tenir informé(e) des avancements les plus récents sur les thématiques actuelles de recherche en micro-nanoélectronique.
Date de limite de soumission : Close depuis le 16 mars 2014 
Notification d’acceptation : 31 mars 2014
Pour 2ème fois depuis la création des JNRDM, l’événement aura lieu à Lille les 26-27-28 mai 2014. Cette 17ème édition est organisée par l’IEMN sur le site de l’Université Lille 1 – Sciences et Technologies, dans les locaux de l’École Centrale de Lille.
L’objectif de ces journées est de permettre aux jeunes chercheurs de présenter leurs travaux dans le cadre du rassemblement des acteurs de la recherche française en micro-nanoélectronique. Cette conférence est donc l’opportunité pour les doctorants, les partenaires industriels et les chercheurs de se rencontrer et d’échanger sur l’ensemble des thématiques concernant la microélectronique et les nanotechnologies, renforçant ainsi le réseau à l’échelle nationale, notamment au travers des pôles français du RDEMN.
C’est dans le cadre du fort développement de la microélectronique et des nanotechnologies que s’est créé en 1998 le Réseau Doctoral Européen en Micro Nanoélectronique (RDEMN). Ce réseau, soutenu par le Ministère de l’Éducation Nationale, de l’Enseignement Supérieur et de la Recherche, est géré par des doctorants et des responsables permanents du Comité national de Formation en Microélectronique (CNFM).
Depuis sa création, le réseau soutient l’organisation des Journées Nationales du Réseau Doctoral en Microélectronique (JNRDM) qui se déroulent chaque année pendant trois jours. L’originalité de cette conférence réside dans le fait que son comité de pilotage est uniquement composé de doctorants. Les JNRDM sont l’évènement majeur annuel du RDEMN. Cette manifestation est ouverte à l’ensemble des acteurs de la communauté scientifique en micro-nanoélectronique.
150 intervenants sont attendus et les sessions seront accessibles à tout public.
Les JNRDM offrent la possibilité d’échanger des idées nouvelles et de se tenir informé(e) des avancements les plus récents sur les thématiques actuelles de recherche en micro-nanoélectronique.
Date de limite de soumission : Close depuis le 16 mars 2014
Notification d’acceptation : 31 mars 2014
L’Institut d’Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) en France et la compagnie EpiGaN basée en Belgique ont annoncé une combinaison record en terme de résistance à l’état passant et de tension de claquage sur des transistors à double hétérojonction utilisant un canal en GaN et une couche de barrière en AlN dont la croissance est réalisée sur substrat de silicium (N. Herbecq et al, Appl. Phys. Express, 034103, 2014).
Les deux équipes sont parvenues à maîtriser le problème de conduction parasite sous très fort champ électrique par gravure localisée du substrat en face arrière spécifiquement entre les électrodes de grille et de drain. Cette innovation technologique couplée à une configuration de couche d’épitaxie optimisée pour délivrer de forte densité de courant leur a permis de démontrer une combinaison unique avec une tension de claquage de 1.9 kV associée à une résistance à l’état passant de 1.6 mΩcm2.
Les chercheurs pensent que cette approche pourrait permettre d’atteindre 3 kV sur des composants GaN-sur-silicium par l’extension de la distance grille-drain à 30 µm tout en maintenant une faible résistance à l’état passant inférieure à 5mΩ-cm2. Ceci permettrait d’envisager l’utilisation de cette filière pour des applications au-delà de 1 kV et ainsi réduire de manière significative la taille des modules existants dans ce cadre ainsi que d’augmenter leur efficacité énergétique.
Etat de l’art de la résistance spécifique à l’état passant
en fonction de la tension de claquage pour les transistors GaN-sur-silicium
Par Charles CROENNE (groupe Acoustique)
19/02/2014 à 14h00 – Amphi. LCI
La présentation portera sur des travaux post-doctoraux réalisés à l’Université du Manitoba (Canada) puis à la City University of Hong Kong, dans le domaine du contrôle de la propagation des ondes par les cristaux phononiques. La première partie concernera l’étude de la dispersion anormale induite par la superposition de gaps de Bragg et d’hybridation dans un cristal phononique, alors que la seconde partie traitera de l’intégration de cristaux phononiques dans un modulateur acousto-optique.
Journée IEMN-DOC
06/12/2013
Comme chaque année, les doctorants 2ème et 3ème année ont participé à l’accueil des doctorants 1ère année le temps d’une journée, le 6 décembre 2013.
Avec une session posters animée par une trentaine de doctorants 2ème année présentant leurs travaux de recherche le matin et une visite guidée en petits groupes des 3 plate-formes de l’IEMN réalisée par 3 doctorants 3ème année l’après-midi, les nouveaux doctorants ont pu découvrir avec convivialité l’environnement scientifique dans lequel ils évolueront. Les présentations des différentes structures concernant les doctorants (ED, Intelli’ Agence, association ASPID) et services de l’IEMN ont également ponctué cette journée pour offrir un maximum d’informations facilitant l’insertion des nouveaux doctorants.
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Découvrez les capacités de simulation numérique de COMSOL Multiphysics version 4.4 (logiciel de simulation numérique basé sur la méthode des éléments finis) lors d’un séminaire-atelier gratuit proposé à l’IEMN, au Laboratoire Central, le mardi 8 avril 2014.
Ce logiciel permet de simuler de nombreuses physiques et applications en ingénierie, et tout particulièrement les phénomènes couplés ou simulation multi-physiques : www.comsol.fr
Rendez-vous à partir de 9h30 – Amphi CERLA – Bât. P5 – USTL
Détails et inscription sur: www.comsol.fr/events/mmw/29033/
Programme de la formation :
09h30 – 10h30 / Introduction à COMSOL Multiphysics
10h30 – 12h30 / Atelier sur ordinateur: prise en main du logiciel
Chaque participant recevra une version d’évaluation de COMSOL Multiphysics.
Attention, le nombre de places est limité !
