Le projet de recherche PANAMA reçoit le prix CATRENE innovation award 2013 à l’occasion du European Nanoelectronics Forum

Ce prix de l’innovation constitue une reconnaissance de l’Union européenne au plus haut niveau dans le domaine de la micro et la nanoélectronique. Panama a été retenu comme le plus innovant des 40 projets sélectionnés dans le programme Catrene, programme européen qui finance la coopération entre instituts de recherche, industriels des semi-conducteurs et entreprises utilisatrices.

Les applications visées par le projet sont les communications mobiles (3G/4G), les transmissions satellites, les applications avioniques et les réseaux domestiques.

Projet CATRENE PANAMA

Le projet PANAMA proposait des innovations dans les systèmes de transmission et amplificateurs de puissance afin d’améliorer leurs performances et leur rendement. Différents types de systèmes ont été étudiés (intégrés, discrets et distribués) pour les applications suivantes: téléphones cellulaires 3/4G, stations de base pour téléphonie cellulaire 3/4G, avionique, communication par Satellite et réseau domestique. Le projet a suivi une approche « top-down » afin de permettre l’évaluation des avancées de PANAMA au niveau système de transmission complet.

L’objectif principal était le gain en rendement pour chaque application:

• 20% pour les systèmes intégrés
• 30% pour les systèmes discrets
• 10% pour les systèmes distribués

Au-delà de la réalisation de ces systèmes, PANAMA devait s’appuyer sur le développement d’outils innovants pour la caractérisation, la modélisation et la simulation. Pour atteindre ces objectifs d’innovation, le projet PANAMA a rassemblé des partenaires importants des secteurs du semi-conducteur, des outils de CAO, du monde académique en provenance de France, Belgique, Pays-Bas et Espagne. Leur collaboration s’est effectuée au travers du but commun qui consistait à améliorer le rendement des chaines RF de transmission, une approche système et des architectures communes et enfin des outils communs de simulation, mesures et caractérisation. Les partenaires se sont regroupés autour de partenaires moteurs dans leur domaine d’application ainsi que l’indique la figure suivante.

Le projet PANAMA était composé de 4 sous-projets techniques en lien direct avec les innovations visées et de 2 sous-projets de gestion et dissémination. Il était géré par NXP Semiconductors France qui assurait également la coordination France. STF a pris la responsabilité du SP1, Thales celle du SP2 et du SP5. Le SP3 était géré par OMP et le SP4 par Agilent.

L’IEMN a participé aux caractérisations et design d’un certain nombre d’amplificateurs de puissance. Les réalisations émanant de ce consortium ont permis des gains en rendement en puissance ajoutée notables et cela pour des gammes de fréquences très différentes comme l’illustrent les figures ci dessous.

– Amélioration du rendement du PA Doherty PA pour Station de Base, 20% typique en utilisant du GaN, avec augmentation de la bande passante afin de supporter les systèmes de nouvelle generation
– 2 nouvelles architectures d’ADC ont été conçues (1 brevet déposé)
– Achitecture LINC innovantes avec combineur de Chiriex, PAE de environ 82% obtenue. Etude d’algorithmes de prédistorsion
– Concept innovant d’antenne à pointage vers le bas permettant de mieux cibler l’utilisateur et donc de diminuer la puissance émise

Le graphique ci-dessous présente les publications, communications et brevets réalisés lors de ce projet de trois ans.

Plublications : – Poursuite du haut niveau de publications – Nombre important de publications communes Invention Disclosures: – STF (1), LETI (2), STEB (3), NXP (7), ITP (1), KUL (2), Agilent (1) – Agilent (1) pending IDs

Quelques résultats

– 2 PAs GaN en bande L réalisés en utilisant de nouveaux modèles MHV, qui sont à l’état de l’art :
_____. Un PA 10W avec une PAE>60%
_____. Un PA 100V avec une PAE>50%
– Une nouvelle méthodologie de conception a été appliquée à 2 PAs permettant un bon accord avec les mesures
– Un gain en rendement de 40% en utilisant l’Envelope Tracking (ET), DPD plus ET permettront d’obtenir de meilleurs résultats
– Plusieurs PAs réalisés en bandes X et S utilisant de nouvelles classes d’opération, ayant entre 40% et 50% de PAE. Ces PAs sont disponibles au catalogue MACOM

 

En savoir + sur le projet PANAMA

 

« Heterogeneous silicon photonic integrated circuits for spectroscopic sensing and optical communication »

Gunther Roelkens received the PhD degree in engineering (photonics) at Ghent University, Belgium in 2007. He has been a research professor at Ghent University since 2010 working in the field of silicon photonics, more specifically mid-infrared silicon photonic integrated circuits, silicon nonlinear optics and III-V semiconductor integration on silicon photonic integrated circuits. He is also assistant professor at Eindhoven University of Technology, the Netherlands. The research highlights of his group are the first fully integrated short-wave infrared spectrometer chip, record nonlinear parametric gain on a silicon chip and high efficiency multi-wavelength lasers integrated on silicon waveguide circuits. Dr. Roelkens has authored and co-authored over 100 refereed journal publications

In this talk I will review our work on silicon photonic integrated circuits and the integration of other materials on top of the silicon waveguide circuits for applications in mid-infrared spectroscopic sensing and for telecom / datacom applications. This includes the integration of III-V semiconductors, colloidal nanoparticles and non-reciprocal materials on top of silicon-based waveguide circuits. The use of integrated nonlinear optical functionalities is also discussed.

IEMN, Lille, France le 08 Avril 2014 ____________________________________________________ An interactive, one day technical seminar focused on practical applications, techniques and advances. This technical workshop is being hosted in conjunction with the Institute of Electronics Micro-electronics and Nanotechnology (IEMN) in Lille. This event is aimed at all those scientists working in research and manufacturing with an interest in MEMS and NEMS, and is designed to inform participants of latest technologies and trends in these hot industry research topics.Talks will include topics such as: MEMS – how to make the nanoworld smaller Nanoscale etch MEMS research applications and results – IEMN Looking towards the next generation of MEMS devices – Yole ALD for MEMS – Eindhoven University ALD research and results – Guest speaker The workshop is free of charge however advance booking is essential.

« Chemistry and Electrochemistry in Two Dimensions: from Langmuir Blodgett Films to Monolayers and Polymeric Films »
Prof. Daniel MANDLER
Daniel.mandler@mail.huji.ac.il
Institut of Chemistry, The Hebrew University of Jerusalem, Israel
27/11/2013 à 14h00 – Salle du Conseil de l’IEMN

 

Electrochemistry deals with charge transfer across interfaces. As is well known, the structure of the interface affects very much charge transfer and therefore controlling and characterization the interface on a molecular level is of utmost importance.
The lecture will focus on different approaches for controlling the interface and its implications and applications in electrochemistry. These will include structuring the interface using Langmuir and Langmuir-Blodgett films, applying self-assembled monolayers and if time permits manipulating thin polymeric films. Different systems and applications will be presented; films at the water-air interface based on individual molecules, polymers and nano-objects. Applications of functionalized self-assembled monolayers as a means of selectively interacting with metal ions and organization of asymmetric nano-objects for future photocatalysis, will be described. Various characterization methods will also be discussed such as horizontal touching voltammetry and scanning electrochemical microscopy.