Séminaire Activités LN2 Sherbrooke
Activités de recherche au laboratoire « Microélectronique III-V» de l’université de Sherbrooke
Professeur Hassan MAHER
18 avril à 14h – Salle du conseil
La grande demande en termes de composants performants, miniatures et surtout à grand rendement énergétique, est de plus en plus présente sur le marché des produits à base de semiconducteurs. Ce besoin est ressenti à tous les niveaux de la fabrication du composant, depuis l’épitaxie jusqu’au packaging du produit final en passant par les procédés de fabrication en salle blanche. L’acteur principal dans cette course de haut niveau est la filière silicium qui, par la grande maturité de sa technologie, arrive à faire un effort considérable sur la miniaturisation du composant tout en étant très limitée par les propriétés physiques du matériau. Ceci présente une grande opportunité pour les semiconducteurs III-V qui offrent un choix très varié de binaires (InP, GaAs, GaN, AlN, InAs, InSb, GaSb, InN ……) avec des propriétés électriques et optiques dépassant largement celles du matériau historique. Dans le domaine de la microélectronique, cette famille de matériaux est utilisée principalement pour les transistors HEMTs (High Electron Mobility Transistor) et HBTs (Heterojunction Bipolar Transistor) qui sont, de nos jours, en tête de course vers le seuil symbolique du Tera-Hertz. La mise au point et la fabrication de circuits à base de ces composants exigent une très grande expertise dans le domaine de la micro et nano-fabrication.