Visite du Comité AERES

 

   

 

Visite du Comité AERES
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L’IEMN a reçu du 14 au 16 janvier dernier la visite du comité d’évaluation AERES pour la période 2008-2013.

Un programme chargé sur trois jours attendait les experts sous la houlette de monsieur Olivier BONNAUD. Après une première journée consacrée à une présentation du bilan et des projets de la structure, la deuxième journée fut la journée des vingt et bientôt vingt-et-un groupes de recherche de notre unité. La troisième fut celle de la découverte des plateformes technologiques dont le comité a pu apprécier la qualité des services rendus aux corps scientifiques et les capacités d’innovation. Enfin, la rencontre avec les différentes tutelles et partenaires ainsi que les différentes catégories de personnels fut très appréciée par les membres du comité qui ont pu déceler sans ambigüité une motivation sans faille.

Prochain rendez-vous dans quelques semaines avec la communication du rapport.

 

 

 

 

Séminaire Excelsior / ANRITSU

SEMINAIRE EXCELSIOR : 14/02/2014 – IEMN – Laboratoire Central – Villeneuve d’Ascq

Venez découvrir la puissance des nouveaux analyseurs de réseau vectoriel et leurs nouvelles applications

Des présentations techniques se dérouleront dans l’amphithéâtre et des travaux pratiques seront prévus sur les équipements Anritsu dans la salle Pierre Armand.

Séminaire gratuit, UNIQUEMENT sur inscription :
http://www.anritsu.com/en-GB/Promotions/Vstar-rshow/registration-fr.aspx

 

 

« MEMS and NEMS processing advances » Workshop

IEMN, Lille, France le 08 Avril 2014
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An interactive, one day technical seminar focused on practical applications, techniques and advances.
This technical workshop is being hosted in conjunction with the Institute of Electronics Micro-electronics and Nanotechnology (IEMN) in Lille. This event is aimed at all those scientists working in research and manufacturing with an interest in MEMS and NEMS, and is designed to inform participants of latest technologies and trends in these hot industry research topics.Talks will include topics such as:

  • MEMS – how to make the nanoworld smaller
  • Nanoscale etch
  • MEMS research applications and results – IEMN
  • Looking towards the next generation of MEMS devices – Yole
  • ALD for MEMS – Eindhoven University
  • ALD research and results – Guest speaker

The workshop is free of charge however advance booking is essential.

 


 

Séminaire Prof. Ludger WIRTZ

Optical and vibrational properties of MoS2
Ludger WIRTZ
Physics and Materials Science research unit, University of Luxembourg
26/11/2013 à 11h00 – Salle du Conseil – IEMN

Following the hype on graphene, other layered materials are recently achieving a lot of attention.
One of them is molybdenum disulfide. Contrary to graphene, MoS2 has a band-gap of about 2 eV
and might thus be a suitable candidate for electronics and optics applications. I will give an
overview over the properties of the material and summarize the ongoing debate on the mobility of
the material. I will also present our own recent work on the phonon dispersion of of bulk and fewlayer
MoS2, where the origin of the anomalous Davydov splitting is still not ultimately clarified.
Furthermore, I will discuss the influence of excitonic effects and spin-orbit splitting on the optical
properties of MoS2.

Séminaire Prof. Mandler

« Chemistry and Electrochemistry in Two Dimensions: from Langmuir Blodgett Films to Monolayers and Polymeric Films »
Prof. Daniel MANDLER
Daniel.mandler@mail.huji.ac.il
Institut of Chemistry, The Hebrew University of Jerusalem, Israel
27/11/2013 à 14h00 – Salle du Conseil de l’IEMN

 

Electrochemistry deals with charge transfer across interfaces. As is well known, the structure of the interface affects very much charge transfer and therefore controlling and characterization the interface on a molecular level is of utmost importance.
The lecture will focus on different approaches for controlling the interface and its implications and applications in electrochemistry. These will include structuring the interface using Langmuir and Langmuir-Blodgett films, applying self-assembled monolayers and if time permits manipulating thin polymeric films. Different systems and applications will be presented; films at the water-air interface based on individual molecules, polymers and nano-objects. Applications of functionalized self-assembled monolayers as a means of selectively interacting with metal ions and organization of asymmetric nano-objects for future photocatalysis, will be described. Various characterization methods will also be discussed such as horizontal touching voltammetry and scanning electrochemical microscopy.



Séminaire Prof. KADRI Abderrahmane

« Les activités de recherche et de formation au Laboratoire LEMOP, Université d’Oran, Algérie
Initiation d’un projet de coopération sur les cellules photovoltaïques solaires InXGa1-XN/GaN »
Prof. KADRI Abderrahmane
Laboratoire d’Etude des Matériaux Optoélectronique et Polymères (L.E.M.O.P.)
Département de Physique, Faculté de Sciences Exactes et Appliquées, Université d’Oran, Algérie
21/11/2013 – Salle du conseil – IEMN

Résumé :
Dans cet exposé, je présenterai les activités de recherche et de formation au sein du Laboratoire d’Etude des Matériaux, Optoélectronique et Polymères (L.E.M.O.P.) à l’Université d’Oran en Algérie. Je présenterai plus particulièrement les activités de coopération de notre laboratoire, dont le projet de recherche en cours d’initiation avec l’équipe du Professeur N. ROLLAND et du Dr F. MEDJDOUB à l’I.E.M.N. C.N.R.S. sur les cellules photovoltaïques solaires à hétéro-structures p-i-n à Multi-puits Quantiques InXGa1-XN/GaN.

L’IEMN recrute

Un Enseignant/Chercheur – CEM et télécommunications et un Enseignant/Chercheur – Electronique performante à partir de matériaux 2D

Un PostDoc Technology Process, MEMS/NEMS, EM and Mechanical simulations (COMSOL) et un PostDoc Hight frequency flexible electronics

-> Consultez les profils 

ExCELSiOR Seminar Cycle – Nano-FTIR : Infrared spectroscopic chemical identification of materials at nanoscale

 – « The NeaSNOM Microscope »
– « Nano-FTIR: Infrared spectroscopic chemical identification of materials at nanoscale »
by Dr. Andreas HUBER from Neaspec GmbH

F. Huth1,2, A. Govyadinov2, S. Amarie1, W. Nuansing2, A.J. Huber1, F. Keilmann3, and R. Hillenbrand2,4.
1 Neaspec GmbH, Martinsried, Germany; 2 CIC Nanogune Consolider, Donostia-San Sebastian, Spain; 3 Dept. of Physics and CeNS, Ludwigs-Maximilians-Universität, Garching, Germany; 4 IKERBASQUE, Basque Foundation for Science, Bilbao, Spain. andreas.huber@neaspec.com

Fourier-transform infrared (FTIR) spectroscopy is an established technique for characterization and recognition of inorganic, organic and biological materials by their far-field absorption spectra in the infrared (IR) fingerprint region. However, due to the diffraction limit conventional FTIR spectroscopy is unsuitable for nanoscale resolved measurements.
We recently applied the principles of FTIR to scattering-type Scanning Near-field Optical Microscopy (s-SNOM) [1]. s-SNOM employs an externally-illuminated sharp metallic tip to create a nanoscale hot-spot at its apex which greatly enhances the near-field interaction between the probing tip and the sample. The light backscattered from the tip transmits the information about this near-field interaction to the far zone where the FTIR spectra can be recorded. The result is a novel nano-FTIR technique, which is able to perform near-field spectroscopy and imaging with nanoscale resolution.
Here we demonstrate Fourier-transform infrared nano-spectroscopy (nano-FTIR) based on a scattering-type scanning near-field optical microscope (s-SNOM) equipped with a coherent-continuum infrared light source. We show in that the method can straightforwardly determine the infrared absorption spectrum of organic samples with a spatial resolution of 20 nm. Corroborated by theory, the nano-FTIR absorption spectra correlate well with conventional FTIR absorption spectra, as experimentally demonstrated with PMMA samples (Fig. 1). Nano-FTIR can thus make use of standard infrared databases of molecular vibrations to identify organic materials in ultra-small quantity and at ultrahigh spatial resolution. As an application example we demonstrate the identification of a nanoscale PDMS contamination on a PMMA sample.

 

 

Fig. 1: In the topography image (left), a small sample contaminant (B) can be found next to a thin film of PMMA (A) on a Si substrate (dark region). In the mechanical phase image (middle) the contrast already indicates that the particle consists of a different material than the film and the substrate. Comparing the nano-FTIR absorption spectra at the positions A and B (right panel) with standard IR databases reveals the chemical identity of the film and the particle.

We envision that nano-FTIR will become a powerful tool for chemical identification of nanostructures, for investigating local structural properties (i.e. defects, strain) of crystalline and amorphous nanostructures, as well as for non-invasive measurement of the local free-carrier concentration and mobility in doped nanostructures.

[1] F. Huth, M. Schnell, J. Wittborn et al, Nat. Mater. 10, 352 (2011).
[2] S. Amarie, P. Zaslanky, Y. Kajihara et al, Beilstein J. Nanotechnol. 3, 312 (2012).
[3] F. Huth, A. Govyadinov, S. Amarie et al, Nano Lett 12, 3973 (2012).

www.excelsior-ncc.eu

Des transistors à l’assaut de la troisième dimension

Pour la première fois, des chercheurs du LAAS et de l’IEMN construisent un transistor nanométrique véritablement en 3D.

Les limites de miniaturisation des composants électroniques pourraient être plus éloignées que ce que l’on pensait. Une équipe du Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes (LAAS–CNRS, Toulouse) et de l’Institut d’électronique, de microélectronique et de nanotechnologie (CNRS/Université Lille1/Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambresis/Isen) viennent de construire un transistor de taille nanométrique au comportement exceptionnel pour un dispositif de cette dimension. Pour y parvenir, les chercheurs ont conçu une architecture originale en trois dimensions composée d’un réseau vertical de nanofils dont la conductivité est contrôlée par une grille de seulement 14 nm de longueur. Ces résultats, publiés dans la revue Nanoscale, ouvrent la voie à des alternatives aux structures planaires des microprocesseurs et des mémoires actuels. Ces transistors 3D permettraient ainsi d’accroître la puissance des dispositifs microélectroniques.

Vue schématique d’un nano-transistors 3D
Vue schématique d’un nano-transistors 3D montrant la grille (rouge) entourant les nanofils verticaux (vert) et séparant les contacts aux extrémités de chaque nanofil (beige).

© X-L Han et G. Larrieu

Les transistors, briques de base de la microélectronique, sont composés d’un élément semi-conducteur, dit canal, reliant deux bornes. Le passage du courant entre les bornes est contrôlé par une troisième borne appelée grille : c’est celle-ci qui, tel un interrupteur, détermine si le transistor est ouvert ou fermé. Au cours des 50 dernières années, la taille des transistors n’a cessé de se réduire à un rythme constant et soutenu, permettant la montée en puissance des appareils microélectroniques. Cependant, il est admis qu’avec les architectures de transistors planaires actuelles, la miniaturisation est proche de sa limite. En effet, au-delà d’une taille minimale, le contrôle du canal des transistors par la grille est de moins en moins efficace : on observe notamment des fuites de courant qui perturbent les opérations logiques réalisées par ces ensembles de transistors. Voilà pourquoi les chercheurs du monde entier étudient des alternatives permettant de poursuivre la course à la miniaturisation.

Les chercheurs du LAAS et de l’IEMN ont, pour la première fois, construit un transistor nanométrique véritablement en 3D. Le dispositif est constitué d’un réseau serré de nanofils verticaux d’environ 200 nm de longueur reliant deux plans conducteurs. Une grille, constituée de chrome, entoure complètement chaque nanofil et contrôle le passage du courant. Ainsi, les chercheurs ont obtenu un niveau de commande transistor très élevé pour un dispositif de cette dimension. La longueur de la grille est de seulement 14 nm, contre 28 nm pour les transistors des puces actuelles. Néanmoins, sa capacité à contrôler le passage du courant dans le canal du transistor est compatible avec les besoins de la microélectronique actuelle.
Cette architecture pourrait permettre de construire des microprocesseurs constitués d’un empilement de transistors. L’on pourrait ainsi augmenter considérablement le nombre de transistors dans un espace donné, et, par conséquent, augmenter les performances des microprocesseurs ou la capacité des mémoires. Un autre atout important de ces composants est que leur fabrication est relativement simple et ne nécessite pas de procédés lithographiques1 de haute résolution. De plus, ces transistors pourraient s’intégrer facilement aux éléments microélectroniques classiques utilisés actuellement par l’industrie.
Un brevet a été déposé pour ces transistors. Les scientifiques veulent à présent poursuivre leurs efforts en miniaturisant encore la taille de la grille. Celle-ci pourrait être inférieure à 10 nm tout en offrant encore un contrôle du transistor satisfaisant. De plus, ils veulent commencer à concevoir, de concert avec des industriels, les dispositifs électroniques futurs qui mettront à profit l’architecture 3D de ces transistors.

Notes :
1 Un procédé lithographique est une technique largement utilisée en micro/nano technologie pour réaliser des texturations de surface par transfert de motifs définis dans une résine sensible.

 

Projet Equipex LEAF

Projet Equipex LEAF : ‘Laser procEssing plAtform for multiFunctional electronics on Flex’

Kick-off Meeting

Mercredi 20 Mars 2013

IEMN, Avenue Poincaré, Villeneuve d’Ascq, France

Matinée ouverte au public (inscription obligatoire)

 AGENDA

9:30                     Accueil (Hall de l’IEMN)

10:00 – 10h30     Présentation du projet EQUIPEX LEAF

10:30 – 11:10       Daniel BENSAHEL ( Manager advanced front-end materials) ST Microelectronics, Crolles
« CMOS technology evolutions and new materials challenges »

11:10 – 11:50        Jan ELIZALDE (Senior Research Scientist) CIC microGUNE / IK4-Ikerlan, Arrasate-Mondragón
« Pathogens rapid detection Point Of Care (POC) for food contamination monitoring »

12:30 – 13:45       Repas (Sous-sol)

13:45 – 14:30       Visite des plateformes technologiques

14:30 – 16:00      Comités de Direction et de Pilotage

16:00                    Fin de la réunion de lancement

LEAF-Web-Invitation-Kick-Off-final

Inscription en ligne : http://leaf-equipex.iemn.univ-lille1.fr/2013/01/24/kick-off-meeting/