Le projet de recherche PANAMA reçoit le prix CATRENE innovation award 2013 à l’occasion du European Nanoelectronics Forum

Ce prix de l’innovation constitue une reconnaissance de l’Union européenne au plus haut niveau dans le domaine de la micro et la nanoélectronique. Panama a été retenu comme le plus innovant des 40 projets sélectionnés dans le programme Catrene, programme européen qui finance la coopération entre instituts de recherche, industriels des semi-conducteurs et entreprises utilisatrices.

Les applications visées par le projet sont les communications mobiles (3G/4G), les transmissions satellites, les applications avioniques et les réseaux domestiques.

Projet CATRENE PANAMA

Le projet PANAMA proposait des innovations dans les systèmes de transmission et amplificateurs de puissance afin d’améliorer leurs performances et leur rendement. Différents types de systèmes ont été étudiés (intégrés, discrets et distribués) pour les applications suivantes: téléphones cellulaires 3/4G, stations de base pour téléphonie cellulaire 3/4G, avionique, communication par Satellite et réseau domestique. Le projet a suivi une approche « top-down » afin de permettre l’évaluation des avancées de PANAMA au niveau système de transmission complet.

L’objectif principal était le gain en rendement pour chaque application:

• 20% pour les systèmes intégrés
• 30% pour les systèmes discrets
• 10% pour les systèmes distribués

Au-delà de la réalisation de ces systèmes, PANAMA devait s’appuyer sur le développement d’outils innovants pour la caractérisation, la modélisation et la simulation. Pour atteindre ces objectifs d’innovation, le projet PANAMA a rassemblé des partenaires importants des secteurs du semi-conducteur, des outils de CAO, du monde académique en provenance de France, Belgique, Pays-Bas et Espagne. Leur collaboration s’est effectuée au travers du but commun qui consistait à améliorer le rendement des chaines RF de transmission, une approche système et des architectures communes et enfin des outils communs de simulation, mesures et caractérisation. Les partenaires se sont regroupés autour de partenaires moteurs dans leur domaine d’application ainsi que l’indique la figure suivante.

Le projet PANAMA était composé de 4 sous-projets techniques en lien direct avec les innovations visées et de 2 sous-projets de gestion et dissémination. Il était géré par NXP Semiconductors France qui assurait également la coordination France. STF a pris la responsabilité du SP1, Thales celle du SP2 et du SP5. Le SP3 était géré par OMP et le SP4 par Agilent.

L’IEMN a participé aux caractérisations et design d’un certain nombre d’amplificateurs de puissance. Les réalisations émanant de ce consortium ont permis des gains en rendement en puissance ajoutée notables et cela pour des gammes de fréquences très différentes comme l’illustrent les figures ci dessous.

– Amélioration du rendement du PA Doherty PA pour Station de Base, 20% typique en utilisant du GaN, avec augmentation de la bande passante afin de supporter les systèmes de nouvelle generation
– 2 nouvelles architectures d’ADC ont été conçues (1 brevet déposé)
– Achitecture LINC innovantes avec combineur de Chiriex, PAE de environ 82% obtenue. Etude d’algorithmes de prédistorsion
– Concept innovant d’antenne à pointage vers le bas permettant de mieux cibler l’utilisateur et donc de diminuer la puissance émise

Le graphique ci-dessous présente les publications, communications et brevets réalisés lors de ce projet de trois ans.

Plublications : – Poursuite du haut niveau de publications – Nombre important de publications communes Invention Disclosures: – STF (1), LETI (2), STEB (3), NXP (7), ITP (1), KUL (2), Agilent (1) – Agilent (1) pending IDs

Quelques résultats

– 2 PAs GaN en bande L réalisés en utilisant de nouveaux modèles MHV, qui sont à l’état de l’art :
_____. Un PA 10W avec une PAE>60%
_____. Un PA 100V avec une PAE>50%
– Une nouvelle méthodologie de conception a été appliquée à 2 PAs permettant un bon accord avec les mesures
– Un gain en rendement de 40% en utilisant l’Envelope Tracking (ET), DPD plus ET permettront d’obtenir de meilleurs résultats
– Plusieurs PAs réalisés en bandes X et S utilisant de nouvelles classes d’opération, ayant entre 40% et 50% de PAE. Ces PAs sont disponibles au catalogue MACOM

 

En savoir + sur le projet PANAMA

 

« Heterogeneous silicon photonic integrated circuits for spectroscopic sensing and optical communication »

Gunther Roelkens received the PhD degree in engineering (photonics) at Ghent University, Belgium in 2007. He has been a research professor at Ghent University since 2010 working in the field of silicon photonics, more specifically mid-infrared silicon photonic integrated circuits, silicon nonlinear optics and III-V semiconductor integration on silicon photonic integrated circuits. He is also assistant professor at Eindhoven University of Technology, the Netherlands. The research highlights of his group are the first fully integrated short-wave infrared spectrometer chip, record nonlinear parametric gain on a silicon chip and high efficiency multi-wavelength lasers integrated on silicon waveguide circuits. Dr. Roelkens has authored and co-authored over 100 refereed journal publications

In this talk I will review our work on silicon photonic integrated circuits and the integration of other materials on top of the silicon waveguide circuits for applications in mid-infrared spectroscopic sensing and for telecom / datacom applications. This includes the integration of III-V semiconductors, colloidal nanoparticles and non-reciprocal materials on top of silicon-based waveguide circuits. The use of integrated nonlinear optical functionalities is also discussed.

SEMINAIRE EXCELSIOR : 14/02/2014 – IEMN – Laboratoire Central – Villeneuve d’Ascq

Venez découvrir la puissance des nouveaux analyseurs de réseau vectoriel et leurs nouvelles applications

Des présentations techniques se dérouleront dans l’amphithéâtre et des travaux pratiques seront prévus sur les équipements Anritsu dans la salle Pierre Armand.

Séminaire gratuit, UNIQUEMENT sur inscription :
http://www.anritsu.com/en-GB/Promotions/Vstar-rshow/registration-fr.aspx

 

 

Optical and vibrational properties of MoS2
Ludger WIRTZ
Physics and Materials Science research unit, University of Luxembourg
26/11/2013 à 11h00 – Salle du Conseil – IEMN

Following the hype on graphene, other layered materials are recently achieving a lot of attention.
One of them is molybdenum disulfide. Contrary to graphene, MoS2 has a band-gap of about 2 eV
and might thus be a suitable candidate for electronics and optics applications. I will give an
overview over the properties of the material and summarize the ongoing debate on the mobility of
the material. I will also present our own recent work on the phonon dispersion of of bulk and fewlayer
MoS2, where the origin of the anomalous Davydov splitting is still not ultimately clarified.
Furthermore, I will discuss the influence of excitonic effects and spin-orbit splitting on the optical
properties of MoS2.

« Les activités de recherche et de formation au Laboratoire LEMOP, Université d’Oran, Algérie
Initiation d’un projet de coopération sur les cellules photovoltaïques solaires InXGa1-XN/GaN »
Prof. KADRI Abderrahmane
Laboratoire d’Etude des Matériaux Optoélectronique et Polymères (L.E.M.O.P.)
Département de Physique, Faculté de Sciences Exactes et Appliquées, Université d’Oran, Algérie
21/11/2013 – Salle du conseil – IEMN

Résumé :
Dans cet exposé, je présenterai les activités de recherche et de formation au sein du Laboratoire d’Etude des Matériaux, Optoélectronique et Polymères (L.E.M.O.P.) à l’Université d’Oran en Algérie. Je présenterai plus particulièrement les activités de coopération de notre laboratoire, dont le projet de recherche en cours d’initiation avec l’équipe du Professeur N. ROLLAND et du Dr F. MEDJDOUB à l’I.E.M.N. C.N.R.S. sur les cellules photovoltaïques solaires à hétéro-structures p-i-n à Multi-puits Quantiques InXGa1-XN/GaN.