JNRDM 2014

Journées Nationales du Réseau Doctoral en Microéletronique

Pour 2ème fois depuis la création des JNRDM, l’événement aura lieu à Lille les 26-27-28 mai 2014. Cette 17ème édition est organisée par l’IEMN sur le site de l’Université Lille 1 – Sciences et Technologies, dans les locaux de l’École Centrale de Lille.

L’objectif de ces journées est de permettre aux jeunes chercheurs de présenter leurs travaux dans le cadre du rassemblement des acteurs de la recherche française en micro-nanoélectronique. Cette conférence est donc l’opportunité pour les doctorants, les partenaires industriels et les chercheurs de se rencontrer et d’échanger sur l’ensemble des thématiques concernant la microélectronique et les nanotechnologies, renforçant ainsi le réseau à l’échelle nationale, notamment au travers des pôles français du RDEMN.

Un peu d’histoire ….

C’est dans le cadre du fort développement de la microélectronique et des nanotechnologies que s’est créé en 1998 le Réseau Doctoral Européen en Micro Nanoélectronique (RDEMN). Ce réseau, soutenu par le Ministère de l’Éducation Nationale, de l’Enseignement Supérieur et de la Recherche, est géré par des doctorants et des responsables permanents du Comité national de Formation en Microélectronique (CNFM).

Depuis sa création, le réseau soutient l’organisation des Journées Nationales du Réseau Doctoral en Microélectronique (JNRDM) qui se déroulent chaque année pendant trois jours. L’originalité de cette conférence réside dans le fait que son comité de pilotage est uniquement composé de doctorants. Les JNRDM sont l’évènement majeur annuel du RDEMN. Cette manifestation est ouverte à l’ensemble des acteurs de la communauté scientifique en micro-nanoélectronique.

150 intervenants sont attendus et les sessions seront accessibles à tout public.

Les JNRDM offrent la possibilité d’échanger des idées nouvelles et de se tenir informé(e) des avancements les plus récents sur les thématiques actuelles de recherche en micro-nanoélectronique.

Date de limite de soumission : Close depuis le 16 mars 2014
Notification d’acceptation : 31 mars 2014

 

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Une combinaison record en terme de résistance à l’état passant et de tension de claquage

Combinaison de faible résistance d’accès et de forte tension de claquage sur des transistors à base de GaN sur substrat de silicium

L’Institut d’Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) en France et la compagnie EpiGaN basée en Belgique ont annoncé une combinaison record en terme de résistance à l’état passant et de tension de claquage sur des transistors à double hétérojonction utilisant un canal en GaN et une couche de barrière en AlN dont la croissance est réalisée sur substrat de silicium (N. Herbecq et al, Appl. Phys. Express, 034103, 2014).

Les deux équipes sont parvenues à maîtriser le problème de conduction parasite sous très fort champ électrique par gravure localisée du substrat en face arrière spécifiquement entre les électrodes de grille et de drain. Cette innovation technologique couplée à une configuration de couche d’épitaxie optimisée pour délivrer de forte densité de courant leur a permis de démontrer une combinaison unique avec une tension de claquage de 1.9 kV associée à une résistance à l’état passant de 1.6 mΩcm2.

Les chercheurs pensent que cette approche pourrait permettre d’atteindre 3 kV sur des composants GaN-sur-silicium par l’extension de la distance grille-drain à 30 µm tout en maintenant une faible résistance à l’état passant inférieure à 5mΩ-cm2. Ceci permettrait d’envisager l’utilisation de cette filière pour des applications au-delà de 1 kV et ainsi réduire de manière significative la taille des modules existants dans ce cadre ainsi que d’augmenter leur efficacité énergétique.

 

 Etat de l’art de la résistance spécifique à l’état passant
en fonction de la tension de claquage pour les transistors GaN-sur-silicium

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Recherche et entreprises : des partenariats à développer

Article complet paru en février dans CCI le mag – Edition Grand Hainaut N°25 sur le site de la CCI

 

Conférence : contrôle de la propagation des ondes par les cristaux phononiques

Par Charles CROENNE (groupe Acoustique)
19/02/2014 à 14h00 – Amphi. LCI

La présentation portera sur des travaux post-doctoraux réalisés à l’Université du Manitoba (Canada) puis à la City University of Hong Kong, dans le domaine du contrôle de la propagation des ondes par les cristaux phononiques. La première partie concernera l’étude de la dispersion anormale induite par la superposition de gaps de Bragg et d’hybridation dans un cristal phononique, alors que la seconde partie traitera de l’intégration de cristaux phononiques dans un modulateur acousto-optique.

Journée des nouveaux entrants

Journée IEMN-DOC
06/12/2013

 

Comme chaque année, les doctorants 2ème et 3ème année ont participé à l’accueil des doctorants 1ère année le temps d’une journée, le 6 décembre 2013.
Avec une session posters animée par une trentaine de doctorants 2ème année présentant leurs travaux de recherche le matin et une visite guidée en petits groupes des 3 plate-formes de l’IEMN réalisée par 3 doctorants 3ème année l’après-midi, les nouveaux doctorants ont pu découvrir avec convivialité l’environnement scientifique dans lequel ils évolueront. Les présentations des différentes structures concernant les doctorants (ED, Intelli’ Agence, association ASPID) et services de l’IEMN ont également ponctué cette journée pour offrir un maximum d’informations facilitant l’insertion des nouveaux doctorants.

   
   

 

 

 

Séminaire COMSOL Multiphysics

Modélisation avec COMSOL Multiphysics version  4.4 – 8 avril 2014

Découvrez les capacités de simulation numérique de COMSOL Multiphysics version  4.4 (logiciel de simulation numérique basé sur la méthode des éléments finis) lors d’un séminaire-atelier gratuit proposé à l’IEMN, au Laboratoire Central, le mardi 8 avril 2014.

Ce logiciel permet de simuler de nombreuses physiques et applications en ingénierie, et tout particulièrement les phénomènes couplés ou simulation multi-physiques : www.comsol.fr

Rendez-vous à partir de 9h30 – Amphi CERLA – Bât. P5 – USTL

Détails et inscription sur: www.comsol.fr/events/mmw/29033/

Programme de la formation :

09h30 – 10h30 / Introduction à COMSOL Multiphysics
10h30 – 12h30 / Atelier sur ordinateur: prise en main du logiciel

Chaque participant recevra une version d’évaluation de COMSOL Multiphysics.
Attention, le nombre de places est limité !

 

PANAMA – Innovation Award 2013

Le projet de recherche PANAMA
reçoit le prix CATRENE innovation award 2013
à l’occasion du European Nanoelectronics Forum

Ce prix de l’innovation constitue une reconnaissance de l’Union européenne au plus haut niveau dans le domaine de la micro et la nanoélectronique. Panama a été retenu comme le plus innovant des 40 projets sélectionnés dans le programme Catrene, programme européen qui finance la coopération entre instituts de recherche, industriels des semi-conducteurs et entreprises utilisatrices.

Les applications visées par le projet sont les communications mobiles (3G/4G), les transmissions satellites, les applications avioniques et les réseaux domestiques.

Projet CATRENE PANAMA

Le projet PANAMA proposait des innovations dans les systèmes de transmission et amplificateurs de puissance afin d’améliorer leurs performances et leur rendement. Différents types de systèmes ont été étudiés (intégrés, discrets et distribués) pour les applications suivantes: téléphones cellulaires 3/4G, stations de base pour téléphonie cellulaire 3/4G, avionique, communication par Satellite et réseau domestique. Le projet a suivi une approche « top-down » afin de permettre l’évaluation des avancées de PANAMA au niveau système de transmission complet.

L’objectif principal était le gain en rendement pour chaque application:

  • 20% pour les systèmes intégrés
  • 30% pour les systèmes discrets
  • 10% pour les systèmes distribués

Au-delà de la réalisation de ces systèmes, PANAMA devait s’appuyer sur le développement d’outils innovants pour la caractérisation, la modélisation et la simulation. Pour atteindre ces objectifs d’innovation, le projet PANAMA a rassemblé des partenaires importants des secteurs du semi-conducteur, des outils de CAO, du monde académique en provenance de France, Belgique, Pays-Bas et Espagne. Leur collaboration s’est effectuée au travers du but commun qui consistait à améliorer le rendement des chaines RF de transmission, une approche système et des architectures communes et enfin des outils communs de simulation, mesures et caractérisation. Les partenaires se sont regroupés autour de partenaires moteurs dans leur domaine d’application ainsi que l’indique la figure suivante.


Le projet PANAMA était composé de 4 sous-projets techniques en lien direct avec les innovations visées et de 2 sous-projets de gestion et dissémination. Il était géré par NXP Semiconductors France qui assurait également la coordination France. STF a pris la responsabilité du SP1, Thales celle du SP2 et du SP5. Le SP3 était géré par OMP et le SP4 par Agilent.

L’IEMN a participé aux caractérisations et design d’un certain nombre d’amplificateurs de puissance. Les réalisations émanant de ce consortium ont permis des gains en rendement en puissance ajoutée notables et cela pour des gammes de fréquences très différentes comme l’illustrent les figures ci dessous.

– Amélioration du rendement du PA Doherty PA pour Station de Base, 20% typique en utilisant du GaN, avec augmentation de la bande passante afin de supporter les systèmes de nouvelle generation
– 2 nouvelles architectures d’ADC ont été conçues (1 brevet déposé)
– Achitecture LINC innovantes avec combineur de Chiriex, PAE de environ 82% obtenue. Etude d’algorithmes de prédistorsion
– Concept innovant d’antenne à pointage vers le bas permettant de mieux cibler l’utilisateur et donc de diminuer la puissance émise

Le graphique ci-dessous présente les publications, communications et brevets réalisés lors de ce projet de trois ans.

Plublications :
– Poursuite du haut niveau de publications
– Nombre important de publications communes

Invention Disclosures:

– STF (1), LETI (2), STEB (3), NXP (7), ITP (1), KUL (2), Agilent (1)
– Agilent (1) pending IDs

Quelques résultats

– 2 PAs GaN en bande L réalisés en utilisant de nouveaux modèles MHV, qui sont à l’état de l’art :
_____. Un PA 10W avec une PAE>60%
_____. Un PA 100V avec une PAE>50%
– Une nouvelle méthodologie de conception a été appliquée à 2 PAs permettant un bon accord avec les mesures
– Un gain en rendement de 40% en utilisant l’Envelope Tracking (ET), DPD plus ET permettront d’obtenir de meilleurs résultats
– Plusieurs PAs réalisés en bandes X et S utilisant de nouvelles classes d’opération, ayant entre 40% et 50% de PAE. Ces PAs sont disponibles au catalogue MACOM

 

En savoir + sur le projet PANAMA

 

Séminaire Pr. Farzaneh Arefi-Khonsari – 31/01/2014

Pr. Farzaneh Arefi-Khonsari
Laboratoire Interfaces et Systèmes Electrochimiques LISE (UMR 8235, ParisTech).

« Elaboration des biomatériaux par les procédés plasmas »

She is currently a full professor in Chemical Engineering at the University of Pierre & Marie Curie and has been working in the field of plasma chemistry and plasma processing of polymers and plasma assisted CVD, mainly in the scope of bio-applications.

Séminaire Dr. Gunther Roelkens 23/01/2014

« Heterogeneous silicon photonic integrated circuits for spectroscopic sensing and optical communication »

Gunther Roelkens received the PhD degree in engineering (photonics) at Ghent University, Belgium in 2007. He has been a research professor at Ghent University since 2010 working in the field of silicon photonics, more specifically mid-infrared silicon photonic integrated circuits, silicon nonlinear optics and III-V semiconductor integration on silicon photonic integrated circuits. He is also assistant professor at Eindhoven University of Technology, the Netherlands. The research highlights of his group are the first fully integrated short-wave infrared spectrometer chip, record nonlinear parametric gain on a silicon chip and high efficiency multi-wavelength lasers integrated on silicon waveguide circuits. Dr. Roelkens has authored and co-authored over 100 refereed journal publications

In this talk I will review our work on silicon photonic integrated circuits and the integration of other materials on top of the silicon waveguide circuits for applications in mid-infrared spectroscopic sensing and for telecom / datacom applications. This includes the integration of III-V semiconductors, colloidal nanoparticles and non-reciprocal materials on top of silicon-based waveguide circuits. The use of integrated nonlinear optical functionalities is also discussed.

Visite du Comité AERES

 

   

 

Visite du Comité AERES
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L’IEMN a reçu du 14 au 16 janvier dernier la visite du comité d’évaluation AERES pour la période 2008-2013.

Un programme chargé sur trois jours attendait les experts sous la houlette de monsieur Olivier BONNAUD. Après une première journée consacrée à une présentation du bilan et des projets de la structure, la deuxième journée fut la journée des vingt et bientôt vingt-et-un groupes de recherche de notre unité. La troisième fut celle de la découverte des plateformes technologiques dont le comité a pu apprécier la qualité des services rendus aux corps scientifiques et les capacités d’innovation. Enfin, la rencontre avec les différentes tutelles et partenaires ainsi que les différentes catégories de personnels fut très appréciée par les membres du comité qui ont pu déceler sans ambigüité une motivation sans faille.

Prochain rendez-vous dans quelques semaines avec la communication du rapport.