An IEMN researcher is awarded an ERC Starting Grant !

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The project, named UPTEG « Unconventional Principles of ThermoElectric Generation », propose to test two unorthodox ideas to turn silicon into a thermoelectric material ! Indeed, thermal to electric energy conversion via Seebeck effect remains an inefficient process especially for low temperature gradients. In addition, conventional thermoelectric materials are polluting, rare and hardly compatible with microelectronics mainstream technologies…
However, silicon, which is a key material of microelectronics thanks to its electric propoerties, has an important Seebeck coefficient but suffers from a high thermal conductivity…

The project proposed by Jean-François Robillard, associate-professor at l’ISEN (Institut Supérieur d’Electronique et du Numérique) and researcher in the IEMN Microelectronics group rely on two approaches :
Phononic Engineering Converters : This approach envisions the periodic nanopatterning of silicon at the scale of the thermal phonon mean free path. This « artificial material » will exhibit a reduced thermal conductivity, down to 100 fold or 1000 fold as compared to bulk, and preserved electric properties.
Micro-Thermionic Converters : This approach is even more unorthodox and relies on building silicon electrode pairs separated by a vacuum gap in order to nearly supress thermal losses. The electrodes are functionalized thanks to low-workfunction material coatings (alcali oxydes) which enable electronic thermo-emission.
This research could lead to a better understanding of nanoscale heat transport and enable the fabrication of efficient micro-generators. Future developments envision mechanically flexible converters able to fit any surface.
The project relies on an ambitious program from simulation and material engineering to technology. It will benefit from the outstanding micro and nanofabrication facilities and caracterisation tools of the IEMN.
The European Research Council will provide funding up to 1.5 million Euros over the 5 years of the project which will lead to the recruitment of 5 PhD students and research associates, technological developments and dissemination activities toward general public as well as the scientific community.

Visite du Pr. François BOONE de l’Université de Sherbrooke au Canada

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Cette invitation entre dans le cadre de la mise en place d’un partenariat international sur les aspects recherche et formation entre les universités des Sciences et Technologies de Lille 1 et de Sherbrooke au Canada. Les laboratoires concernés sont le Centre de Recherches en Nanofabrication et en Nanocaractérisation (CRN2) à l’université de Sherbrooke (Canada) et l’Institut d’Electronique, de Microélectronique et Nanotechnologie (IEMN) à l’Université de Lille 1. Cette opération entre dans le cadre de l’UMI CNRS 3463 : Laboratoire Nanotechnologies et Nanosystèmes (LN2) qui a été créé en Juillet 2012, permettant ainsi de maximiser l’impact international des travaux de recherche en Amérique du Nord.

L’objectif est la conception et la fabrication de composants et de circuits basés sur l’arséniure de Gallium en utilisant les savoirs faire et les moyens complémentaires des deux laboratoires. Les activités en cours qui ont commencé en septembre 2012 ou sont en projet concernent plusieurs domaines :

– Conception de circuits en vue de leur fabrication. Il s’agit de mettre en place les modèles relatifs aux éléments actifs et passifs en vue d’être en mesure de concevoir des circuits de type MMICs.

– Réalisation de circuits MMIC à base de composants HEMT AlGaN/GaN et InAIN/GaN pour des applications en Puissance Hyperfréquence à 94GHz.

– Réalisation de circuits MMIC à base de composants HEMT AlGaN/GaN et InAIN/GaN pour des applications en Electronique de puissance.

Cette activité bénéficie d’un doctorant en cotutelle entre les deux laboratoires : Adrien CUTIVET qui a débuté ses travaux de thèse le 1er septembre 2012 dans le cadre d’un cofinancement université de Sherbrooke/Bourse Président de l’Université de Lille1. Les co-directeurs de thèse sont le Pr. François BOONE qui fait l’objet de cette invitation et le Pr. Jean-Claude De JAEGER. La visite de F. BOONE a pour but de travailler directement avec les chercheurs de l’IEMN et A. CUTIVET afin de mettre en place des modèles d’éléments passifs et actifs pour établir un design kit dédié à la conception de Circuits Intégrés Monolithiques de la filière Nitrure de Gallium ayant pour application l’amplification de puissance hyperfréquence en bandes Ka, V et W.

 

Contact : Jean-Claude De JAEGER

L’IEMN impliqué dans le projet Graphène, lauréat du programme européen « FET Flagship »

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Retenu par la Commission Européenne comme un des projets phare, d’une ampleur sans précédent, sur les technologies du futur et émergentes, le projet Graphène, financé à hauteur de 1 milliard d’euros sur 10 ans, mobilise 15 laboratoires Français, parmi lesquels l’IEMN.

Le projet Graphène vise à développer les applications d’un matériau constitué d’une feuille de carbone dont l’épaisseur est réduite à une seule couche d’atomes : ses propriétés mécaniques et électriques exceptionnelles lui ouvrent des applications dans tous les domaines, de la microélectronique aux pièces aéronautiques. Il rassemble 126 équipes de recherche de 17 pays.

Lire le communiqué de presse


Contact : Professeur Henri HAPPY
Tel: +33 (0)3 20 19 78 41 Fax: +33 (0)3 20 19 78 92
Courriel: henri.happy@iemn.univ-lille1.fr

L’IEMN recrute

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Un Responsable des moyens « back-end » des plateformes de l’institut.

Le responsable aura la charge de l’intégration des composants dans des systèmes et de mise en boîtiers de la découpe, amincissement de wafers.

 Contexte :
L’IEMN est un laboratoire de recherche de 500 personnes qui joue un rôle majeur au niveau international dans le domaine de la recherche en microélectronique et nanotechnologie. Pour cela, les différentes équipes de recherche de l’institut s’appuient sur quatre plateformes technologiques de haut niveau dont la centrale de micro et nano technologies (1 600 m²).
Le poste est un support technique participant au développement et à la réalisation de systèmes électroniques qui se développe au sein des plateformes techniques et plus particulièrement dans le cadre des projets Equipex « Excelsior » et « Leaf ».

En savoir plus

Kick-off Meeting RTB Network

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Un réseau, à disposition de tous ceux qui ont besoin de réaliser des micro ou nano objets vous invite à une journée d’information et d’échanges pour vous informer sur les possibilités d’accès aux ressources technologiques du réseau de recherches technologiques de base (RTB),

le Vendredi 29 mars 2013, de 10h à 16h au Laboratoire Central de l’IEMN à Villeneuve d’Ascq.

Venez :

  • DECOUVRIR ou REVOIR nos centrales de technologie,
  • INITIER une collaboration scientifique ou technologique,
  • EVALUER si l’accès à nos centrales peut vous intéresser

La journée annuelle des utilisateurs (actuels ou futurs) du réseau RTB est un rendez-vous national de l’ensemble des communautés académiques et industrielles (PME, Start-up, Grands Groupes) intéressées par les micro- et nanotechnologies. Grâce au soutien de l’ANR, ce réseau présente aujourd’hui un ensemble d’équipements et de savoir-faire au meilleur niveau international

 Cette journée est une opportunité pour :

  • VISITER une des centrales du réseau
  • APPROCHER le monde des nanosciences
  • DECOUVRIR nos réalisations obtenues en partenariat avec des académiques, des PME, des start-up, des industriels, …
  • CONNAITRE nos conditions d’accès, nos formations, …
  • ECHANGER sur vos projets et savoir si nous pourrions vous aider à transformer votre idée en composant ou dispositif.

La matinée sera consacrée à une présentation du réseau national des grandes centrales (RENATECH CNRS et CEA-Leti) et des projets technologiques phares réalisés récemment en partenariat scientifique ou industriel. Nos « utilisateurs » actuels vous feront part de leur expérience du réseau et des résultats obtenus. Les moyens et compétences technologiques du réseau ainsi que ses modalités d’accès seront détaillés.

L’après-midi sera consacré à une visite des installations et à des discussions/débats.Vous pourrez rencontrer nos chercheurs, ingénieurs et techniciens, ainsi que les responsables de l’accueil des projets d’utilisateurs extérieurs.

Modalités d’inscription (inscription gratuite) :

Pour vous inscrire, merci de renvoyer avant le 15 mars les informations ci-dessous par courriel à la centrale technologique de votre choix :

1. Nom, Prénom, Organisme/Entreprise, Adresse complète

2. Domaine/Thématique d’intérêt (ex. photonique,électronique, etc.)

3. Participera (i) au déjeuner (ii) à la visite de la salle blanche (OUI/NON)

Une confirmation d’inscription vous sera retournée avec le programme détaillé et les modalités d’accès.

Contacts :

– A Lille, contacter l’IEMN (plateforme@iemn.univ-lille1.fr)

– En Ile de France, les centrales de l’IEF et du LPN seront présentées sur le site de Marcoussis (Anne.Talneau@lpn.cnrs.fr)

– A Besançon, contacter FEMTO-ST (servicecommunication@femto-st.fr)

– A Grenoble, contacter soit le LTM / CNRS (thierry.chevolleau@cea.fr), soit le LETI / CEA (thierry.billon@cea.fr)

– A Toulouse, contacter le LAAS (mplana@laas.fr)

Sites web :

 

Equipex LEAF Project

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Equipex LEAF Project : ‘Laser procEssing plAtform for multiFunctional electronics on Flex’

Kick-off Meeting

20th Wednesday of March 2013

IEMN, Avenue Poincaré, Villeneuve d’Ascq, France

Open on morning (registration required)

AGENDA

9:30                     Welcome and Registration  (IEMN Hall)

10:00 – 10h30     Presentation EQUIPEX LEAF project

10:30 – 11:10       Daniel BENSAHEL ( Manager advanced front-end materials) ST Microelectronics, Crolles

« CMOS technology evolutions and new materials challenges »

11:10 – 11:50        Jan ELIZALDE (Senior Research Scientist) CIC microGUNE / IK4-Ikerlan, Arrasate-Mondragón

« Pathogens rapid detection Point Of Care (POC) for food contamination monitoring »

12:30 – 13:45       Lunch ( Basement)

13:45 – 14:30       Visit of IEMN  technological platforms

14:30 – 16:00        Executive and Steering Comittees

16:00                     End of kick-off meeting

 

LEAF-Web-Invitation-Kick-Off-final

 

On-line free registration: http://leaf-equipex.iemn.univ-lille1.fr/2013/01/24/kick-off-meeting/

 

Kick-off Meeting RTB Network

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29/03/2013 –  10:00 (am)  to 04:00 (pm)

The network to basic research of technology (RTB), is a national network to large platform of micro- and nanofabrication.

Ce réseau est à disposition de l’ensemble des communautés académiques et industrielles intéressées par les micro et nanotechnologies et vous invite à une journée d’informations et d’échanges sur les possibilités d’accès à ces ressources technologiques le Vendrdi 29 mars 2013, de 10h à 16h à l’IEMN. Vous trouverez ci joint un descriptif de la journée . Registration required before 15th of March

Contact : plateforme@iemn.univ-lille1.fr

Detailed program of the day

SEMINAR Nano-FTIR: infrared spectroscopic chemical identification of materials at nanoscale

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SEMINAR POSTPONE IN MARCH

 
– « The NeaSNOM Microscope »
– « Nano-FTIR: Infrared spectroscopic chemical identification of materials at nanoscale »
by Dr. Andreas HUBER from Neaspec GmbH

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February 6th; 14:30 Council room

 ‘Transport experiments in graphene devices, from exfoliated to epitaxial graphene’
par Dr Emiliano Pallecchi; Laboratoire de Photonique et de Nanostructures, Marcoussy

Key words: Cooling of hot electrons in graphene; GHz Jonshon noise thermometry; electron-acoustic phonons scattering;
supercollisions,  experiments on devices based on epitaxial graphene; magneto-transport experiments; ARPES measurements;
oxygen adsorption on the electronics properties.

www.excelsior-ncc.eu

Des transistors à l’assaut de la troisième dimension

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Pour la première fois, des chercheurs du LAAS et de l’IEMN construisent un transistor nanométrique véritablement en 3D.

Les limites de miniaturisation des composants électroniques pourraient être plus éloignées que ce que l’on pensait. Une équipe du Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes (LAAS–CNRS, Toulouse) et de l’Institut d’électronique, de microélectronique et de nanotechnologie (CNRS/Université Lille1/Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambresis/Isen) viennent de construire un transistor de taille nanométrique au comportement exceptionnel pour un dispositif de cette dimension. Pour y parvenir, les chercheurs ont conçu une architecture originale en trois dimensions composée d’un réseau vertical de nanofils dont la conductivité est contrôlée par une grille de seulement 14 nm de longueur. Ces résultats, publiés dans la revue Nanoscale, ouvrent la voie à des alternatives aux structures planaires des microprocesseurs et des mémoires actuels. Ces transistors 3D permettraient ainsi d’accroître la puissance des dispositifs microélectroniques.

Vue schématique d’un nano-transistors 3D
Vue schématique d’un nano-transistors 3D montrant la grille (rouge) entourant les nanofils verticaux (vert) et séparant les contacts aux extrémités de chaque nanofil (beige).

© X-L Han et G. Larrieu

Les transistors, briques de base de la microélectronique, sont composés d’un élément semi-conducteur, dit canal, reliant deux bornes. Le passage du courant entre les bornes est contrôlé par une troisième borne appelée grille : c’est celle-ci qui, tel un interrupteur, détermine si le transistor est ouvert ou fermé. Au cours des 50 dernières années, la taille des transistors n’a cessé de se réduire à un rythme constant et soutenu, permettant la montée en puissance des appareils microélectroniques. Cependant, il est admis qu’avec les architectures de transistors planaires actuelles, la miniaturisation est proche de sa limite. En effet, au-delà d’une taille minimale, le contrôle du canal des transistors par la grille est de moins en moins efficace : on observe notamment des fuites de courant qui perturbent les opérations logiques réalisées par ces ensembles de transistors. Voilà pourquoi les chercheurs du monde entier étudient des alternatives permettant de poursuivre la course à la miniaturisation.

Les chercheurs du LAAS et de l’IEMN ont, pour la première fois, construit un transistor nanométrique véritablement en 3D. Le dispositif est constitué d’un réseau serré de nanofils verticaux d’environ 200 nm de longueur reliant deux plans conducteurs. Une grille, constituée de chrome, entoure complètement chaque nanofil et contrôle le passage du courant. Ainsi, les chercheurs ont obtenu un niveau de commande transistor très élevé pour un dispositif de cette dimension. La longueur de la grille est de seulement 14 nm, contre 28 nm pour les transistors des puces actuelles. Néanmoins, sa capacité à contrôler le passage du courant dans le canal du transistor est compatible avec les besoins de la microélectronique actuelle.
Cette architecture pourrait permettre de construire des microprocesseurs constitués d’un empilement de transistors. L’on pourrait ainsi augmenter considérablement le nombre de transistors dans un espace donné, et, par conséquent, augmenter les performances des microprocesseurs ou la capacité des mémoires. Un autre atout important de ces composants est que leur fabrication est relativement simple et ne nécessite pas de procédés lithographiques1 de haute résolution. De plus, ces transistors pourraient s’intégrer facilement aux éléments microélectroniques classiques utilisés actuellement par l’industrie.
Un brevet a été déposé pour ces transistors. Les scientifiques veulent à présent poursuivre leurs efforts en miniaturisant encore la taille de la grille. Celle-ci pourrait être inférieure à 10 nm tout en offrant encore un contrôle du transistor satisfaisant. De plus, ils veulent commencer à concevoir, de concert avec des industriels, les dispositifs électroniques futurs qui mettront à profit l’architecture 3D de ces transistors.

Notes :
1 Un procédé lithographique est une technique largement utilisée en micro/nano technologie pour réaliser des texturations de surface par transfert de motifs définis dans une résine sensible.