Entrées par editrice

Kick-off Meeting RTB Network

29/03/2013 –  10:00 (am)  to 04:00 (pm) The network to basic research of technology (RTB), is a national network to large platform of micro- and nanofabrication. Ce réseau est à disposition de l’ensemble des communautés académiques et industrielles intéressées par les micro et nanotechnologies et vous invite à une journée d’informations et d’échanges sur les possibilités d’accès à […]

February 6th; 14:30 Council room  ‘Transport experiments in graphene devices, from exfoliated to epitaxial graphene’ par Dr Emiliano Pallecchi; Laboratoire de Photonique et de Nanostructures, Marcoussy Key words: Cooling of hot electrons in graphene; GHz Jonshon noise thermometry; electron-acoustic phonons scattering; supercollisions,  experiments on devices based on epitaxial graphene; magneto-transport experiments; ARPES measurements; oxygen adsorption […]

Postdoc : Nanoscience Characterization Center

ExCELSiOR – Nanoscience Characterization Center Object: 18 months Position of Postdoc Key words: Technology Process, MEMS/NEMS, EM and Mechanical simulations (COMSOL) Context: In the framework of a new large project (EQUIPEX ExCELSiOR-NCC), IEMN will create a new characterization platform for nanosciences gathering a large set of new experimental instruments operating at the interface between nano-microscopy […]

Des transistors à l’assaut de la troisième dimension

Pour la première fois, des chercheurs du LAAS et de l’IEMN construisent un transistor nanométrique véritablement en 3D. Les limites de miniaturisation des composants électroniques pourraient être plus éloignées que ce que l’on pensait. Une équipe du Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes (LAAS–CNRS, Toulouse) et de l’Institut d’électronique, de microélectronique et de nanotechnologie (CNRS/Université […]

New orientation for gallium nitride on silicon transistors

The first millimeter-wave power demonstration of aluminium gallium nitride/gallium nitride (AlGaN/GaN) high-electron-mobility transistors (GaN) grown on a (110) silicon substrate has been claimed by a  French team of researchers [A. Soltani et al, IEEE Electron Device Letters,  published online 7 March 2013]. The team consists of workers from Institut d’Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie […]

ExCELSiOR Seminar Cycle – ‘Transport experiments in graphene devices, from exfoliated to epitaxial graphene’

February 6th; 14:30 Council room  ‘Transport experiments in graphene devices, from exfoliated to epitaxial graphene’ par Dr Emiliano Pallecchi; Laboratoire de Photonique et de Nanostructures, Marcoussy Key words: Cooling of hot electrons in graphene; GHz Jonshon noise thermometry; electron-acoustic phonons scattering; supercollisions,  experiments on devices based on epitaxial graphene; magneto-transport experiments; ARPES measurements; oxygen adsorption […]

ExCELSiOR Project

ExCELSiOR Nanosciences Characterization Center The kick-off of ExCELSiOR EQUIPEX project has been held in Lille (IEMN-CNRS, campus of the University of Lille1) on last November, 15th 2012. This important event has gathered almost 60 attendees coming from large and small industrial companies (Agilent, Horiba, IBM, Omicron-Oxford Instruments, Rohde & Schwarz, ST-Microelectronics, …), European and National […]

Réseau RENATECH : journée des utilisateurs de grandes centrales de micro et nanotechnologies

Cette journée annuelle s’adresse à l’ensemble de la communauté scientifique afin de présenter les principales thématiques de recherche du réseau, ses moyens et compétences technologiques spécifiques ainsi que l’accès aux équipements et les conditions de leur utilisation. Des visites des centrales technologiques RENATECH et des salles blanches seront également proposées. Cette rencontre se déroulera le […]