La première démonstration de la fabrication de transistors de puissance en onde millimétrique de type HEMT AlGaN/GaN sur substrat silicium (110)
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ExCELSiOR Seminar Cycle – ‘Transport experiments in graphene devices, from exfoliated to epitaxial graphene’
February 6th; 14:30 Council room
'Transport experiments…
ExCELSiOR Project
ExCELSiOR Nanosciences Characterization Center
The kick-off…
Réseau RENATECH : journée des utilisateurs de grandes centrales de micro et nanotechnologies
Cette journée annuelle s'adresse à l'ensemble de la communauté…
Visite de Madame SCHMIDT-LAINE, directrice de l’INSIS
Le 25 juin dernier, la directrice de l’INSIS, madame Claudine…
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