NEUROMORPHIC TECHNOLOGIES


Les activités de l’IEMN dans le cadre du flagship des technologies neuromorphiques s’articulent autour de deux approches principales. La première repose sur l’utilisation de technologies CMOS standard (maturité industrielle), tandis que la seconde utilise des procédés développés au sein des salles blanches micro et nano de l’IEMN. Ces deux approches complémentaires — ou associées — se déclinent du dispositif au système, avec plusieurs applications liées à l’IA embarquée, c’est-à-dire au calcul en périphérie (Edge Computing) développé à proximité de capteurs bio-inspirés. L’approche concerne également l’interaction avec la biologie. Cette synthèse propose diverses illustrations des activités menées aux niveaux du dispositif, du circuit (réalisation de fonctions) et du système.

Neurone artificiel utilisant des semi-conducteurs de Mott
À ce jour, chaque neurone artificiel est constitué de milliers de transistors. L’utilisation d’isolants de Mott, une classe de matériaux aux propriétés non linéaires, pourrait réduire drastiquement la complexité des circuits, en ramenant le nombre de composants par neurone à un seul. Cependant, le développement est freiné car cette propriété unique des isolants de Mott n’a été observée jusqu’à présent que dans des monocristaux de taille millimétrique. Cet axe de recherche, lancé en 2020 à l’IEMN, vise à réaliser une analyse multi-échelle rendue possible par l’utilisation d’un microscope à effet tunnel multipoint couplé à un système optique résolu en temps, afin de déterminer les propriétés fondamentales nécessaires au développement d’un neurone à l’échelle nanométrique. Le projet comprend également la fabrication et la caractérisation de monocouches épitaxiées d’isolants de Mott 1T-TaSe₂, en vue de la mise en œuvre future de réseaux neuronaux compacts.

Image MEB d’un monocristal de GaMo₄S₈ et des quatre pointes de la Nanoprobe

Dispositifs à plasticité basés sur les nanotechnologies
L’ingénierie neuromorphique est étroitement liée au substrat utilisé pour le calcul de fonctions dynamiques spatio-temporelles. Un premier aspect très limitant du matériel actuel utilisé pour émuler des réseaux impulsionnels réside dans la mise en œuvre des fonctions synaptiques, qui nécessite une forte densité de composants mémoire et des accès intensifs pour leur programmation. Pour surmonter cette limitation, les concepts de calcul en mémoire sont hautement souhaitables, car ils peuvent résoudre le goulot d’étranglement de Von Neumann et ouvrir la voie à un matériel neuromorphique à très faible consommation d’énergie et à faible latence. Dans ce contexte, nous avons développé à l’IEMN depuis 2012 des dispositifs memristifs fondés sur des matériaux organiques et inorganiques. Un premier axe repose sur l’augmentation du niveau de maturité technologique (TRL) de technologies déjà matures telles que les memristors TiO₂, ainsi que sur leur intégration avec la technologie CMOS en Back End Of Line. Un second axe concerne l’intégration de fonctions synaptiques avancées directement dans l’élément mémoire afin d’accroître encore la capacité de calcul en mémoire. À cette fin, nous avons développé divers dispositifs plus émergents (transistor mémoire organique, cellules de métallisation électrochimique filamentaire, transistors électrochimiques organiques) capables d’émuler la plasticité synaptique, la plasticité dépendante du temps d’émission des impulsions (STDP), ou encore la potentialisation/dépression à long terme observée dans les synapses biologiques.

Coordinateurs:

Contact : Francois.danneville iemn.fr


Contact : Christophe.loyez iemn.fr