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https://www.iemn.fr/wp-content/uploads/logos/logo_IEMN.png00editricehttps://www.iemn.fr/wp-content/uploads/logos/logo_IEMN.pngeditrice2012-12-04 13:41:122013-05-31 11:58:11La première démonstration de la fabrication de transistors de puissance en onde millimétrique de type HEMT AlGaN/GaN sur substrat silicium (110)
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