Visite du Comité AERES

 

   

 

Visite du Comité AERES
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L’IEMN a reçu du 14 au 16 janvier dernier la visite du comité d’évaluation AERES pour la période 2008-2013.

Un programme chargé sur trois jours attendait les experts sous la houlette de monsieur Olivier BONNAUD. Après une première journée consacrée à une présentation du bilan et des projets de la structure, la deuxième journée fut la journée des vingt et bientôt vingt-et-un groupes de recherche de notre unité. La troisième fut celle de la découverte des plateformes technologiques dont le comité a pu apprécier la qualité des services rendus aux corps scientifiques et les capacités d’innovation. Enfin, la rencontre avec les différentes tutelles et partenaires ainsi que les différentes catégories de personnels fut très appréciée par les membres du comité qui ont pu déceler sans ambigüité une motivation sans faille.

Prochain rendez-vous dans quelques semaines avec la communication du rapport.

 
 

 

 

Journée d’information et d’échange

Innovez grâce à l’IEMN !                                                     

20 Mars 2014 de 10h00 à 16h00 – Villeneuve d’Ascq

Petites ou grandes entreprises, quel que soit votre secteur d’activité, venez découvrir tout le potentiel que les nanotechnologies peuvent vous offrir !

Le réseau RENATECH et LETI vous invite à une journée d’information et d’échange pour vous informer sur les possibilités d’accès à ses ressources technologiques.
Le réseau RENATECH et LETI est un réseau national de grandes centrales de micro- et nanofabrication qui rassemble aujourd’hui un ensemble d’équipements, de chercheurs, d’ingénieurs et techniciens, experts au meilleur niveau international.
Ce réseau est à disposition de tous ceux qui ont besoin de réaliser des micro- ou nano-objets que ce soit des start-up, des PME, des grands groupes ou des académiques.
Le réseau NANORA est destiné à faciliter l’entrée sur le marché des PME, à rendre plus claires, et surtout plus accessibles les compétences en nanotechnologies.

Découvrez votre centrale technologique à Besançon, Grenoble, Lille, Marcoussis ou Toulouse
Informez-vous des avancées technologiques dans le domaine des micro et nano en France
Rencontrez des experts académiques, des start-up, PME et des grands groupes afin d’initier
        des collaborations ou des réalisations
Amorcer une collaboration scientifique ou technologique

 

Programme de la journée
• 10h00 : Accueil café
• 10h30 : Présentation de l’IEMN et des réseaux (Renatech  et Nanora)
• 11h00 : Présentation de travaux et réalisations de l’IEMN
• 11h30 : Présentation d’une collaboration avec un industriel
• 12h00 : Présentation de la Chambre du Commerce et de l’Industrie :
« Accompagnement à la création et au suivi de Projet »
• 12h30 / 13h30 : Déjeuner
• 13h30 : Visite de la salle blanche
• 14h30 : Discussions autour de vos projets avec nos experts technologiques
• 16h00-16h30 : Clôture


Modalités d’inscription (inscription gratuite)
• Inscription en ligne
• Pour vous inscrire, merci de renvoyer avant le 07 mars 2014, les informations ci-dessous par courriel à l’adresse suivante : iemn-openday@univ-lille1.fr
Merci de préciser :
– Nom, Prénom, Organisme/Entreprise, Adresse complète
– Domaine/Thématique d’intérêt (ex. automobile, électronique, etc.)
– Participera : au déjeuner (oui/non), à la visite de la salle blanche (oui/non)

 

 

Contacts
• Contact: plateforme@iemn.univ-lille1.fr
• IEMN – www.iemn.univ-lille1.fr
• NANORA – www.nanora.eu
• RENATECH – www.renatech.org

 

 

Séminaire Excelsior / ANRITSU

SEMINAIRE EXCELSIOR : 14/02/2014 – IEMN – Laboratoire Central – Villeneuve d’Ascq

Venez découvrir la puissance des nouveaux analyseurs de réseau vectoriel et leurs nouvelles applications

Des présentations techniques se dérouleront dans l’amphithéâtre et des travaux pratiques seront prévus sur les équipements Anritsu dans la salle Pierre Armand.

Séminaire gratuit, UNIQUEMENT sur inscription :
http://www.anritsu.com/en-GB/Promotions/Vstar-rshow/registration-fr.aspx

 

 

« MEMS and NEMS processing advances » Workshop

IEMN, Lille, France le 08 Avril 2014
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An interactive, one day technical seminar focused on practical applications, techniques and advances.
 This technical workshop is being hosted in conjunction with the Institute of Electronics Micro-electronics and Nanotechnology (IEMN) in Lille. This event is aimed at all those scientists working in research and manufacturing with an interest in MEMS and NEMS, and is designed to inform participants of latest technologies and trends in these hot industry research topics.Talks will include topics such as:

  • MEMS – how to make the nanoworld smaller
  • Nanoscale etch
  • MEMS research applications and results – IEMN
  • Looking towards the next generation of MEMS devices – Yole
  • ALD for MEMS – Eindhoven University
  • ALD research and results – Guest speaker

The workshop is free of charge however advance booking is essential.

 


  

Séminaire Prof. Ludger WIRTZ

Optical and vibrational properties of MoS2
Ludger WIRTZ
Physics and Materials Science research unit, University of Luxembourg
26/11/2013 à 11h00 – Salle du Conseil – IEMN

Following the hype on graphene, other layered materials are recently achieving a lot of attention.
One of them is molybdenum disulfide. Contrary to graphene, MoS2 has a band-gap of about 2 eV
and might thus be a suitable candidate for electronics and optics applications. I will give an
overview over the properties of the material and summarize the ongoing debate on the mobility of
the material. I will also present our own recent work on the phonon dispersion of of bulk and fewlayer
MoS2, where the origin of the anomalous Davydov splitting is still not ultimately clarified.
Furthermore, I will discuss the influence of excitonic effects and spin-orbit splitting on the optical
properties of MoS2.

Séminaire Prof. Mandler

« Chemistry and Electrochemistry in Two Dimensions: from Langmuir Blodgett Films to Monolayers and Polymeric Films »
Prof. Daniel MANDLER
Daniel.mandler@mail.huji.ac.il
Institut of Chemistry, The Hebrew University of Jerusalem, Israel
27/11/2013 à 14h00 – Salle du Conseil de l’IEMN

 

Electrochemistry deals with charge transfer across interfaces. As is well known, the structure of the interface affects very much charge transfer and therefore controlling and characterization the interface on a molecular level is of utmost importance.
The lecture will focus on different approaches for controlling the interface and its implications and applications in electrochemistry. These will include structuring the interface using Langmuir and Langmuir-Blodgett films, applying self-assembled monolayers and if time permits manipulating thin polymeric films. Different systems and applications will be presented; films at the water-air interface based on individual molecules, polymers and nano-objects. Applications of functionalized self-assembled monolayers as a means of selectively interacting with metal ions and organization of asymmetric nano-objects for future photocatalysis, will be described. Various characterization methods will also be discussed such as horizontal touching voltammetry and scanning electrochemical microscopy.



Séminaire Prof. KADRI Abderrahmane

« Les activités de recherche et de formation au Laboratoire LEMOP, Université d’Oran, Algérie
Initiation d’un projet de coopération sur les cellules photovoltaïques solaires InXGa1-XN/GaN »
Prof. KADRI Abderrahmane
Laboratoire d’Etude des Matériaux Optoélectronique et Polymères (L.E.M.O.P.)
Département de Physique, Faculté de Sciences Exactes et Appliquées, Université d’Oran, Algérie
21/11/2013 – Salle du conseil – IEMN

Résumé :
Dans cet exposé, je présenterai les activités de recherche et de formation au sein du Laboratoire d’Etude des Matériaux, Optoélectronique et Polymères (L.E.M.O.P.) à l’Université d’Oran en Algérie. Je présenterai plus particulièrement les activités de coopération de notre laboratoire, dont le projet de recherche en cours d’initiation avec l’équipe du Professeur N. ROLLAND et du Dr F. MEDJDOUB à l’I.E.M.N. C.N.R.S. sur les cellules photovoltaïques solaires à hétéro-structures p-i-n à Multi-puits Quantiques InXGa1-XN/GaN.

Les transistors 0D récupèrent l’énergie perdue lors de l’émission de bulles d’hydrogène

Un transistor 0D est placé en contact avec une goutte d’eau contenant du NaCl. Un courant entre l’anode et la cathode génère des bulles d’hydrogène et de chlore, que le transistor peut détecter et transformer en impulsions électriques. N. Clément et al. © American Chemical Society

 

Lorsque l’hydrogène est produit lors de l’électrolyse de l’eau, de l’énergie est perdue à chaque émission de bulle. Dans une nouvelle étude, des chercheurs du CNRS, IEMN, Villeneuve d’Ascq, NTT, Tokyo et du CEA Marcoules ont démontré que des transistors de 25 nm – si petits qu’ils sont considérés 0D – peuvent être utilisés pour transformer cette énergie perdue en impulsions électriques. Plusieurs millions de ces transistors 0D pourraient être utilisés pour détecter des bulles uniques et générer des impulsions avec une efficacité optimale, en récupérant une partie de l’énergie perdue lors de l’électrolyse et en la rendant utilisable pour d’autres applications. En théorie, 2 millions de ces transistors 0D pourraient tenir sous la microbaignoire, ce qui résulterait en des impulsions de 500 µW et un rendement d’émission d’impulsions d’environ 99%.

Ces résultats pourraient avoir une variété d’applications, comme des laboratoires sur puce pour le stockage d’hydrogène. Une autre potentielle application est la physiologie, le signal électrique ayant une amplitude similaire à celle du potentiel d’action dans un neurone.

Cet article a été publié dans Nanoletters.  : Water Electrolysis and Energy Harvesting with Zero-Dimensional Ion-Sensitive Field-Effect Transistors. N. Clément, K. Nishiguchi, J.F. Dufrêche, D. Guérin, A.Fujiwara & D. Vuillaume. Nano Letters 13(8), 3903-3908 (2013), http://dx.doi.org/10.1021/nl4019879

Contact : N. Clément (nicolas.clement@iemn.univ-lille1.fr / 03 20 19 79 32)

 

Séminaire Ferry Kienberger

‘Scanning microwave microscopy: dopant profiling, spectroscopy, and modeling’
Ferry KIENBERGER
Agilent Research Lab (Linz, Autriche)
24/10/2013 à 14h00 – Amphithéâtre de l’IEMN

Scanning microwave microscopy (SMM) is a recent development in nanoscale imaging technique that combines the lateral resolution of atomic force microscopy (AFM) with the high measurement precision of microwave analysis at GHz frequencies. It consists of an AFM interfaced with a vector network analyzer (VNA). SMM allows to measure complex materials properties for nanoelectronics, materials science, and life science applications with operating frequencies ranging between 1 MHz and 20 GHz. Here we present the basic working principles of SMM and advanced applications. In particular, calibrated capacitance and resistance measurements are shown with a noise level of 1 aF [1]. Calibrated dopant profiles are measured from 10E14 to 10E20 atoms/cm3 for nano-electronics characterization [2].
Pointwise C-V (capacitance-voltage) spectroscopy curves were acquired allowing for the characterization of oxide quality, interface traps, and memory effects of novel materials.
Additionally, a 2D mapping workflow was established to acquire roughly 20.000 C-V curves during one image [3]. Experimental investigations are complemented by finite element radiofrequency modelling using the 3D architecture of the probe and the sample, done with the Agilent software EMPro [4].

                  

Left panel: SMM setup. The AFM is interfaced with a Vector Network Analyzer measuring the electromagnetic properties of the sample. Right panel: Topography and dopant density (dC/dV) image of a semiconductor dopant sample with different dopant concentrations for quantitative and calibrated measurements.

References: [1] H. P. Huber et al, Calibrated nanoscale capacitance measurements using a scanning microwave microscope, Rev. Sci. Instrum. 81, 113701 (2010); [2] H. P. Huber et al., Calibrated nanoscale dopant profiling using a scanning microwave microscope, J. Appl. Phys. 111, 014301 (2012); [3] M. Moertelmaier et al., Continuous capacitance-voltage spectroscopy mapping for scanning microwave microscopy, Ultramicroscopy, Sept. 2013 online. [4] M. Kasper et al., Electromagnetic Simulations at the Nanoscale: EMPro Modeling and Comparison to SMM Experiments. Agilent AppNote Aug. 2013

Une ERC Starting Grant décrochée par un chercheur de l’IEMN !

Le projet, nommé UPTEG « Unconventional Principles of ThermoElectric Generation », propose de tester deux idées radicales à même de transformer le silicium en un matériau thermoélectrique ! En effet, la conversion d’énergie thermique en courant électrique par effet Seebeck reste un processus peu efficace, surtout lorsque le gradient de température disponible est modéré. Par ailleurs, les matériaux thermoélectriques usuels sont polluants, de plus en plus rares et difficilement compatibles avec les technologies standard de la microélectronique…
Pourtant, le silicium, matériau central de la microélectronique pour ses propriétés électriques, a également un coefficient thermoélectrique important mais souffre d’un  défaut majeur : une forte conductivité thermique…

Le projet proposé par Jean-François Robillard, enseignant-chercheur à l’ISEN (Institut Supérieur d’Electronique et du Numérique) et travaillant au sein du groupe Microélectronique de l’IEMN, repose sur deux approches :
Convertisseurs à Ingénierie Phononique : Il s’agit de structurer le silicium de façon périodique à l’échelle du libre parcours moyens des phonons thermiques, les principaux porteurs de chaleur. Le résultat est un « matériau artificiel » dont la conductivité thermique peut être réduite d’un facteur 100 voire 1000 tout en préservant largement ses propriétés électriques.
Convertisseurs Micro-Thermoélectroniques : Cette approche encore plus radicale, consiste à construire un générateur à partir d’électrodes de silicium fonctionnalisées grâce à un matériau à très faible travail de sortie (oxide d’alcalin) et séparées par un vide de quelques microns. Dans ce cas les pertes thermiques sont quasi-nulles et le courant est généré par thermo-émission.

Les retombées de ce travail vont de la compréhension du transport thermique à l’échelle nanométrique jusqu’à la réalisation de micro-générateurs efficaces, éventuellement flexibles et donc capables de s’adapter sur tout type de surface.
Le projet repose sur un important travail de simulation, d’ingénierie des matériaux et de technologie. Il s’appuiera sur les ressources exceptionnelles de micro et nano fabrication et de caractérisation de l’IEMN.
L’European Research Council procure un financement exceptionnel d’une durée de cinq ans et un montant de 1.5 millions d’Euros pour ce projet qui prévoit entre autres la participation de 5 doctorants et jeunes chercheurs, le financement des coûts technologiques et des actions de diffusion scientifique.