Entrées par editrice

CNRS – Momentum 2017 : Appel à projets 2017 (dépot du projet avant le 19 juin)

    Le CNRS lance un appel à projets visant à permettre à de talentueux jeunes scientifiques indépendants d’imaginer et de mener à bien un projet innovant au sein d’un laboratoire du CNRS. En développant leurs propres projets, les lauréats du CNRS-Momentum contribueront à étoffer la recherche des unités qui les accueilleront. Cet appel est […]

CNRS – Momentum 2017 : Appel à projets 2017 (dépot du projet avant le 19 juin)

    Le CNRS lance un appel à projets visant à permettre à de talentueux jeunes scientifiques indépendants d’imaginer et de mener à bien un projet innovant au sein d’un laboratoire du CNRS. En développant leurs propres projets, les lauréats du CNRS-Momentum contribueront à étoffer la recherche des unités qui les accueilleront. Cet appel est […]

Journées SCOPe

22 et 23 juin – IEMN – Amphithéâtre LCI – Villeneuve d’Ascq L’objectif de ces journées est de réunir au niveau national les acteurs français et francophones impliqués dans la recherche sur le silicium et les semi-conducteurs/oxydes poreux et leurs applications. Cette 4ème édition des journées SCOPe sera l’occasion pour notre communauté de partager nos […]

Journées SCOPe

22 et 23 juin – IEMN – Amphithéâtre LCI – Villeneuve d’Ascq L’objectif de ces journées est de réunir au niveau national les acteurs français et francophones impliqués dans la recherche sur le silicium et les semi-conducteurs/oxydes poreux et leurs applications. Cette 4ème édition des journées SCOPe sera l’occasion pour notre communauté de partager nos […]

Une étude dans le cadre d’une collaboration entre l’IEMN et le Fraunhofer Institute for Photonic Microsystems

fait la couverture du journal Analytical Methods (RSC) A user-friendly guide to the optimum ultraviolet photolithographic exposure and greyscale dose of SU-8 photoresist on common MEMS, microsystems, and microelectronics coatings and materials Matthieu Gaudet, Fraunhofer Institute for Photonic Microsystems, Maria-Reiche-Str. 2, 01109 Dresden, Germany matthieu.gaudet@ipms.fraunhofer.de Steve Arscott, Institut d’Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN), […]

IEMN : Romain Peretti reçoit une chaire d’excellence internationale

La Région Hauts-de-France et le Fond Européen de Développement Régional ont attribués une chaire d’excellence internationale à Romain Peretti, chercheur à l’IEMN, pour son projet  » TeraHertz Optical Traping of Viruses  » (THOTroV). Grâce à cette chaire, Romain Peretti a pour ambition de développer une technique de piégeage optique dans une nouvelle plage de longueur […]

IEMN : Romain Peretti reçoit une chaire d’excellence internationale

La Région Hauts-de-France et le Fond Européen de Développement Régional ont attribués une chaire d’excellence internationale à Romain Peretti, chercheur à l’IEMN, pour son projet  » TeraHertz Optical Traping of Viruses  » (THOTroV). Grâce à cette chaire, Romain Peretti a pour ambition de développer une technique de piégeage optique dans une nouvelle plage de longueur […]

Séminaire : Diagnostic et suivi en service de l’état de santé des matériaux et structures par intégration de capteurs, FR TTM CNRS 3733

Dans le cadre de la Fédération de Recherche ( FR CNRS 3733 ) Transport Terrestre & Mobilité (TTM), regroupant les quatre laboratoires de recherche : IEMN, CRIStAL, LML et LAMIH. __________________________________________________________________________________________________ ________________________________________________________________ Appel à participation 19 mai 2017 de 13h30 à 16h30 – IEMN DOAE Amphithéatre, Valenciennes Ce séminaire est ouvert aux chercheurs des quatre […]

A magnetoelectric random access memory cell based on the stress-mediated magnetoelectric effect that promises extremely low bit-reading and low bit-writing energies.

From the Journal: Applied Physics Letters By AIP News Staff WASHINGTON, D.C., May 30, 2017 — Today’s computers provide storage of tremendous quantities of information with extremely large data densities, but writing and retrieving this information expends a lot of energy. More than 99 percent of the consumed power of information storage and processing is […]

A magnetoelectric random access memory cell based on the stress-mediated magnetoelectric effect that promises extremely low bit-reading and low bit-writing energies.

From the Journal: Applied Physics Letters By AIP News Staff WASHINGTON, D.C., May 30, 2017 — Today’s computers provide storage of tremendous quantities of information with extremely large data densities, but writing and retrieving this information expends a lot of energy. More than 99 percent of the consumed power of information storage and processing is […]