Thèse : Étude de semi-conducteurs III-V non-stœchiométriques pour l’échantillonnage de signaux hyperfréquences
Thomas Demonchaux Soutenance de thèse Le 16 mai 2018 à 10h30 IEMN Amphithéâtre – Villeneuve d’Ascq Abstract : Découvert à la fin des années 80, l’arséniure de gallium épitaxié à basse température (GaAs-BT) présente des propriétés intéressantes pour des applications opto-électroniques. Ses propriétés sont intimement liées à la présence de défauts ponctuels, dont les niveaux […]





