Une association fructueuse entre nanofils III-V et nanocristaux II-VI pour la photodétection dans le moyen-infrarouge
Une collaboration entre l’IEMN, l’Institut des Nanosciences de Paris, l’ESPCI et l’ONERA a permis de concilier les avantages de deux technologies concurrentes pour la réalisation de photodétecteurs large bande dans le moyen-infrarouge. En décorant des nanofils d’InGaAs, épitaxiés en réseau planaire par croissance sélective, avec des nanocristaux de HgSe et HgTe élaborés par voie chimique, les possibilités offertes par le semiconducteur en termes de propriétés de transport et de dopage ont pu été associées à l’étendue spectrale de détection offerte par les nanocristaux. Les photodiodes ainsi réalisées présentent une gamme de détection allant jusqu’au moyen infrarouge tout en préservant leur rapport signal à bruit jusqu’à 200K.
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