THESE : Mahmoud ABOU DAHER – Réalisation et optimisation de Transistors HEMT GaN forte puissance et haute fréquence par technologie de transfert de couches sur substrat hôte, analyse de robustesse comparative avec solutions concurrentielles GaN

Contribution à l’étude de l’adhérence des structures du type couche sur substrat par modes de Rayleigh générés et détectés par sources laser