Entrées par editrice

La première démonstration de la fabrication de transistors de puissance en onde millimétrique de type HEMT AlGaN/GaN sur substrat silicium (110)

La première démonstration de la fabrication de transistors de puissance en onde millimétrique de type HEMT AlGaN/GaN sur substrat silicium (110) hautement résistif a été réalisée à l’IEMN en collaboration avec le CRHEA [A. SOLTANI et al., IEEE Electron Device Letters, publié en ligne le 7mars 2013]. Usuellement, ces hétérostructures sont obtenus par épitaxie par […]

Booster les performances des matériaux

Paru dans le magazine « Industrie & Technologies » (Octobre 2012) :                                                                                       […]

L’IEMN a fêté ses 20 ans

Au nom de l’ensemble des personnels actuels et passés de l’IEMN, félicitation aux organisateurs pour le succès des 20 ans de notre laboratoire. Gilles Dambrine et Lionel Buchaillot                                              

Visite de Madame SCHMIDT-LAINE, directrice de l’INSIS

Le 25 juin dernier, la directrice de l’INSIS, madame Claudine SCHMIDT-LAINE, dans le cadre de sa tournée de l’ensemble des laboratoires de l’institut , est venue à l’IEMN. Accompagnée de Laurent NICOLAS, directeur adjoint scientifique et de Béatrice DAGENS, chargée de mission , ils ont été accueillis au laboratoire central par Lionel BUCHAILLOT, directeur du […]