Entrées par editrice

Des puces tout en souplesse

Article paru dans le numéro 13 de la revue J’innove en Nord-Pas de Calais Labellisé Equipex, le projet LEAF rassemble l’IEMN de Villeneuve d’Ascq et le LAAS de Toulouse pour rendre les puces électroniques à la fois flexibles et performantes, avec un vaste potentiel d’applications à la clé. Pour que le téléphone portable de demain […]

La mine d’or du crayon

Article paru dans le numéro 13 de la revue J’innove en Nord-Pas de Calais Avec un budget d’1 milliard d’euros sur dix ans, le projet européen Graphène peut révolutionner l’innovation dans de nombreux domaines, en exploitant le potentiel du nanomatériau dont il porte le nom. 1 milliard d’euros sur dix ans : le chiffre est […]

Nanothermodynamics improves surface energy measurements

Article paru dans nanotechweb le 7 décembre 2012 Researchers in Belgium and France have determined a new value for the surface energy of solid selenium and have found it to be considerably higher than previously thought. Selenium is a key element in nanotechnology and the new result will be important for a variety of applications […]

L’IEMN recrute

Un Enseignant/Chercheur – CEM et télécommunications et un Enseignant/Chercheur – Electronique performante à partir de matériaux 2D

Job opportunities

Un Enseignant/Chercheur – CEM et télécommunications et un Enseignant/Chercheur – Electronique performante à partir de matériaux 2D -> More details…

ExCELSiOR Seminar Cycle – Nano-FTIR : Infrared spectroscopic chemical identification of materials at nanoscale

 – « The NeaSNOM Microscope » – « Nano-FTIR: Infrared spectroscopic chemical identification of materials at nanoscale » by Dr. Andreas HUBER from Neaspec GmbH F. Huth1,2, A. Govyadinov2, S. Amarie1, W. Nuansing2, A.J. Huber1, F. Keilmann3, and R. Hillenbrand2,4. 1 Neaspec GmbH, Martinsried, Germany; 2 CIC Nanogune Consolider, Donostia-San Sebastian, Spain; 3 Dept. of Physics and CeNS, Ludwigs-Maximilians-Universität, […]

Des transistors à l’assaut de la troisième dimension

Pour la première fois, des chercheurs du LAAS et de l’IEMN construisent un transistor nanométrique véritablement en 3D. Les limites de miniaturisation des composants électroniques pourraient être plus éloignées que ce que l’on pensait. Une équipe du Laboratoire d’analyse et d’architecture des systèmes (LAAS–CNRS, Toulouse) et de l’Institut d’électronique, de microélectronique et de nanotechnologie (CNRS/Université […]

Projet Equipex LEAF

Projet Equipex LEAF : ‘Laser procEssing plAtform for multiFunctional electronics on Flex’ Kick-off Meeting Mercredi 20 Mars 2013 IEMN, Avenue Poincaré, Villeneuve d’Ascq, France Matinée ouverte au public (inscription obligatoire)  AGENDA 9:30                     Accueil (Hall de l’IEMN) 10:00 – 10h30     Présentation du projet EQUIPEX LEAF 10:30 – 11:10       Daniel BENSAHEL ( Manager advanced front-end materials) ST Microelectronics, Crolles […]

JOURNEE DE PRESENTATION DU RESEAU RTB

29/03/2013 – de 10h à 16h Le réseau de Recherches Technologiques de Base (RTB) est un réseau national de grandes centrales de micro- et nanofabrication. Ce réseau est à disposition de l’ensemble des communautés académiques et industrielles intéressées par les micro et nanotechnologies et vous invite à une journée d’informations et d’échanges sur les possibilités […]

La première démonstration de la fabrication de transistors de puissance en onde millimétrique de type HEMT AlGaN/GaN sur substrat silicium (110)

La première démonstration de la fabrication de transistors de puissance en onde millimétrique de type HEMT AlGaN/GaN sur substrat silicium (110) hautement résistif a été réalisée à l’IEMN en collaboration avec le CRHEA [A. SOLTANI et al., IEEE Electron Device Letters, publié en ligne le 7mars 2013]. Usuellement, ces hétérostructures sont obtenus par épitaxie par […]