Résumé :

L’objectif principal est de présenter la modélisation des propriétés de matériaux semiconducteurs pour applications optoélectroniques, du domaine des télécommunications à celui du photovoltaïque. Les paramètres, électriques, physiques et optiques, les plus importants dans le fonctionnement des composants ont été étudiés en utilisant les modèles parabolique, nonparabolique, k-p,…. La modélisation est appliquée à la fois aux matériaux massifs, tels que InGaAs, InGaAsN, InGaAsSb, InGaAsBi…, et à leurs nanostructures afin d’améliorer les performances des composants optoélectroniques comme les LEDs, lasers, photodiodes ainsi que les cellules solaires. Les modélisation et simulation ont donc été appliquées à des structures à puits quantiques, nano fils et boîtes quantiques non contraints et contraints. Des exemples d’applications sur différents composants viendront illustrer ces travaux.