IEMN
  • Accueil
  • Actualités
    • Newsletters de l’IEMN
    • Offres de Stages M2-Ingé
    • Les offres d’emplois
    • Toutes les actualités
  • L’Institut
    • Présentation
    • Organisation de l’institut
    • La Direction Scientifique
    • La Direction Technologique
    • La direction administrative et financière
    • Règlement intérieur
    • Nos engagements
  • La Recherche
    • Les départements scientifiques
      • Matériaux Nanostructures et Composants
      • Micro/nano et optoélectronique
      • Technologies des télécommunications et Systèmes intelligents
      • Acoustique
    • Les groupes de recherche
    • Les projets phares
  • Production Scientifique
    • Publications IEMN
    • Ressources production scientifique
  • Les plateformes
    • CMNF – Plateforme Centrale de Micro Nano Fabrication
      • Pôle Gravure et implantation
      • Pôle Analyse In Line
      • Pôle Soft Lithographie et Bio Microfluidique
      • Pôle Dépôts et épitaxie
      • Pôle Lithographie
      • Pôle Packaging
      • Staff CMNF
    • PCMP – Plateforme de Caractérisation Multi-Physique
      • Pôle Microscopie en Champ Proche (PCP)
      • Pôle Caractérisation Hyperfréquence, Optique et Photonique (CHOP)
      • Pôle Systèmes de COMmunications avancées et prototypage (SigmaCOM)
      • Pôle Caractérisation et Compatibilité ElectroMagnétique et prototypage (C2EM)
      • Staff PCMP
    • Prestations proposées par nos plateformes
  • Partenariat – Valorisation
    • Les Collaborations Académiques
    • Projets ANR
    • Principales collaborations internationales
    • Les partenariats industriels
    • Les laboratoires communs IEMN-Industrie
    • Les startups
  • La Formation à la Recherche
    • L’après-thèse
      • Faire un post-doc à l’IEMN
      • Vers le monde des entreprises et de l’industrie
      • Devenir Enseignant-Chercheur
      • Devenir Chercheur
      • Créer son entreprise à l’IEMN
      • FOCUS sur un ingénieur SATT issu de l’IEMN
    • Une thèse à l’IEMN
      • Soutenances de thèses et HDR
      • Sujets de thèses
      • Les financements
      • Les études doctorales
    • Master – Ingénieur
      • Masters ULille
        • Master Life Sciences and Technologies graduate program
        • Master Nanosciences and Nanotechnologies – Speciality ETECH
        • Master Réseaux et Télécommunications
      • Masters UPHF-INSA
        • Master Ingénierie des Systèmes embarqués et Communications Mobiles
        • Master Cyber-Défense et Sécurité de l’information
        • Master Matériaux, Contrôle, Sécurité
        • Master Ingénierie des Systèmes Images et Sons
      • Écoles Ingé partenaires/tutelles
      • Offres de Stages M2-Ingé
    • Le pôle lillois du GIP-CNFM
    • Nano-École Lille
  • Contact
    • Localisation
    • Formulaire de contact
    • Annuaire Intranet
  • Nos soutiens
  • en_GB
  • Rechercher
  • Menu Menu
ACTUALITES

THESE BREZZA E. « Développement et Evaluation d’une Nouvelle Architecture de Transistor Bipolaire à Hétérojonction Si/SiGe pour Technologie BiCMOS 55nm haute-performance et faible-coût « 

E. BREZZA

Soutenance : 16 Décembre 2022
Thèse de doctorat en Electronique, microélectronique, nanoélectronique et micro-ondes, Université de Lille, ENGSYS Sciences de l’ingénierie et des systèmes, 16 décembre 2022
Projet associé : Laboratoire commun STMicroelectronics-IEMN

Résumé :

Le développement de la technologie BiCMOS055X de STMicroelectronics, une technologie BiCMOS basé sur un noeud CMOS 55 nm compatible avec une ligne de production 300 mm, requiert le développement d’une nouvelle architecture de Transistor Bipolaire à Hétérojonction (TBH). L’architecture Epitaxial eXtrinsic Base Isolated from the Collector (EXBIC) a été choisie en visant des valeurs de fT = 400 GHz et fMAX = 500 GHz avec une tension de claquage émetteur-collecteur BVCEo >= 1.35 V pour cette technologie. Après la réalisation d’un premier dispositif fonctionnel, un plan d’amélioration est défini. Les différents aspects de la fabrication sont considérés afin de réduire la complexité du dispositif et améliorer sa robustesse. La performance électrique est améliorée à chaque introduction d’une nouvelle modification. Des nouvelles intégrations de collecteur et base extrinsèque sont proposées, ainsi définissant une nouvelle version de TBH EXBIC. Sur l’architecture EXBIC améliorée, un procédé d’optimisation a été mené afin de régler les paramètres de chaque partie du composant. Les études ciblent l’amélioration des profils de dopage et la réduction des résistances parasites. Les valeurs de fT = 380 GHz et fMAX 390 GHz avec BVCEo = 1.4 V atteintes sur le meilleur dispositif produit sont encore insuffisantes pour les exigences de la technologie BiCMOS055X. Des études futures sont définies afin de pouvoir atteindre et dépasser les performances souhaitées.

Abstract :

The development of STMicroelectronics’ BiCMOS055X technology, a BiCMOS technology based on a 55 nm CMOS node compatible with a 300 mm production line, requires the development of a new Bipolar Heterojunction Transistor (BHT) architecture. The Epitaxial eXtrinsic Base Isolated from the Collector (EXBIC) architecture has been chosen by targeting values of fT = 400 GHz and fMAX = 500 GHz with an emitter-collector breakdown voltage BVCEo >= 1.35 V for this technology. After the realization of a first functional device, an improvement plan is defined. The different aspects of the fabrication are considered in order to reduce the complexity of the device and improve its robustness. The electrical performance is improved with each new modification. New integrations of collector and extrinsic base are proposed, defining a new version of TBH EXBIC. On the improved EXBIC architecture, an optimization process has been carried out to adjust the parameters of each part of the component. The studies target the improvement of doping profiles and the reduction of parasitic resistances. The values of fT = 380 GHz and fMAX 390 GHz with BVCEo = 1.4 V reached on the best device produced are still insufficient for the requirements of the BiCMOS055X technology. Future studies are defined in order to reach and exceed the desired performances.

Logo
Cité Scientifique
Avenue Henri Poincaré
CS 60069
59 652 Villeneuve d'Ascq Cedex, France
Tel : 03 20 19 79 79
CNRS Logo University of Lille Logo University Polytech Logo Junia Logo Centrale Lille Logo Renatech Logo RFnet Logo
Plan du site
© Copyright Service ECM et pôle SISR 2024
  • Production scientifique
  • Mentions légales
  • Politique de confidentialité
Faire défiler vers le haut
fr_FR
fr_FR
en_GB
Nous utilisons des cookies pour vous garantir la meilleure expérience sur notre site web. Si vous continuez à utiliser ce site, nous supposerons que vous en êtes satisfait.OKNonPolitique de confidentialité