Projet – ANR-22-CE50-0017

GOSPELS
Gallium Oxyde based deviceS for Power ELectronicS

L’objectif du projet GOSPELS est la conception et la démonstration d’une nouvelle diode de puissance verticale en p-MgNiO/n-AlGa2O3, optimisée pour l’électronique de puissance. Pour ce faire, il faudra concevoir et élaborer des dispositifs dotés d’architectures appropriées avec des propriétés thermiques, électriques et structurelles contrôlées pour les couches et les interfaces. L’ambition et la nature innovante du projet GOSPELS sont liées à la fois à l’exploration fondamentale du potentiel semi-conducteur émergent de ces matériaux d’oxyde et à la démonstration d’un dispositif de puissance vertical (Al)Ga2O3/(Mg)NiO, obtenu par PLD (Pulsed Laser Deposition). La gestion thermique se fera via le transfert de la couche du dispositif vers un dissipateur de chaleur à l’aide d’un décollage au laser. Ce projet réunit des partenaires qui sont des références internationales dans leurs domaines d’expertise. Il sera basé sur des boucles d’optimisation entre la modélisation, le matériau, le procédé de fabrication et les caractérisations au sein du consortium afin de résoudre progressivement/rapidement les verrous technologiques et permettre la fabrication de dispositifs de puissance en Ga2O3 pour la première fois en France.

Partenaires

Institut d’Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie, IEMN

Coordinateur : Nicolas Defrance
nicolas.defrance@univ-lille.fr

Responsable scientifique : Dave Rogers

Responsable scientifique : Henri Jaffres

Responsable scientifique : Antonino Alessi

Responsable scientifique : Stefan Kubsky

Récemment publié par le partenaire IEMN