Post-doctorant en fabrication et caractérisation de dispositifs HEMTs sur ScAlN/GaN – IEMN

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Post-doctorant en fabrication et caractérisation de dispositifs HEMTs sur ScAlN/GaN

Emploi type	Post-doctorant en fabrication et caractérisation de dispositifs HEMTs sur ScAlN/GaN
Missions	Le candidat recruté intégrera le groupe Composants et Dispositifs Microondes de Puissance (PUISSANCE) de l’Institut d’Electronique de Microélectronique et Nanotechnologie (IEMN). Sa mission consistera à fabriquer des dispositifs à semiconducteur dans la salle blanche de l’Institut. Le candidat devra travailler sur les différentes étapes du procédé technologique de fabrication des dispositifs qui devront ensuite être caractérisés.
Activités	L’activité principale consistera à réaliser et à caractériser des transistors de type HEMTs (High Electron Mobility Transistors) sur des hétérostructures ScAlN/GaN avec l’objectif de dépasser les meilleures performances actuellement obtenues sur les HEMTs de la filière GaN jusqu’en bande D. La croissance du matériau sera faite au laboratoire CRHEA à Valbonne dans le cadre d’une collaboration pour le projet d’excellence GaNEXT. À l’IEMN, le post-doctorant recruté sera impliqué dans le développement du procédé technologique de fabrication des dispositifs en salle blanche et leur caractérisation. Les différentes étapes du procédé de fabrication seront développées et optimisées avec notamment : La réalisation de contacts ohmiques de faible résistance avec une technologie de contacts ohmiques alliés ou non alliés. L’isolation des composants par implantation ou par gravure. L’optimisation de l’étape de fabrication de grilles courtes inférieures à 100 nm. La passivation des composants par PECVD ou ALD. Les transistors seront ensuite caractérisés avec : Des mesures des caractéristiques I-V en courant continu pour extraire les paramètres usuels de fonctionnement des transistors tels que la densité maximale de courant, la tension de pincement, la transconductance, … Ces mesures seront nécessaires pour obtenir un retour d’information pour la croissance du matériau au CRHEA ainsi que pour l’adaptation du procédé technologique à IEMN. Des mesures en régime pulsé pour quantifier les phénomènes de piégeage (gate and drain lag) Des mesures hyperfréquences, telles que des mesures de paramètre S permettant de déterminer les performances RF des transistors.
Compétences	Le candidat doit avoir une thèse de doctorat spécialité micro – nanotechnologie avec un savoir au niveau des composants nanométriques destinée aux applications hyperfréquence. Il doit avoir une bonne expérience de la technologie des composants en salle blanche et avoir mené à bien les différentes étapes technologiques inhérentes à la fabrication de dispositifs semiconducteur. Des compétences en termes de techniques de caractérisation électrique seront également appréciées.
Contexte de travail :	Le candidat va intégrer le groupe PUISSANCE à l’IEMN qui est spécialisé dans les composants et dispositifs à base de GaN pour les applications de puissance hyperfréquence. Ce groupe a un savoir-faire en simulation, caractérisation et fabrication technologique de dispositifs. Le candidat va travailler dans le cadre du projet d’excellence GaNEXT. L’activité est majoritairement orientée vers un travail en salle blanche mais comprend également des mesures des dispositifs réalisés. Le candidat aura une formation spécifique à la sécurité relative à la salle blanche et sera initié aux techniques particulières d’ordre technologique pour utiliser les différentes ressources disponibles.

Unité d’accueil :
IEMN UMR CNRS 8520
Avenue Poincaré
59652 VILLENEUVE D ASCQ CEDEX
www.iemn.fr

Type de contrat :
Post-doctorant (13 mois)

Contact :
marie.lesecq@univ-lille.fr

L’accès à l’offre sur le portail Emploi CNRS :
https://emploi.cnrs.fr/Offres/CDD/UMR8520-MARLES0-003/Default.aspx