L’IEMN est un acteur majeur dans la conception et développement de sources THz par voie optoélectronique. L’équipe «Photonique THz» de l’IEMN – qui propose ce contrat – a démontré récemment la génération d’onde THz par voie optoélectronique avec une puissance de sortie et un rendement inégalés. Cette source repose sur la photodétection d’un battement de deux faisceaux laser et nécessite le développement de photodétecteurs à semi-conducteurs à très grande bande passante.

Dans le cadre du projet Photowathz financé par la région Hauts de France l’équipe Photonique THz vise à aller encore plus loin en termes de puissance, de pureté spectrale et d’accordabilité. Pour ce faire, des photodétecteurs de nouvelle génération, à architecture distribuée[1] optimisés pour fonctionner avec des lasers de longueur d’ondes 1060nm seront conçus, fabriqués et caractérisés. Les enjeux de ce projet sont importants puisqu’il s’agit de démontrer la faisabilité d’une source THz sans équivalent aujourd’hui.

L’Ingénieur sera chargé de la conception et la fabrication des photomélangeurs. Pour ce faire, il devra :

• Concevoir le photomélangeur à l’aide des logiciels de simulation RF et photonique (CST, Lumerical, etc)
• Faire la DAO des masques de lithographie.
• Réaliser les étapes en environnement salle blanche (enduction résines, lithographie électronique/optique, métallisation, dépôts par PVD, gravure plasma).
• Caractériser les échantillons en cours de fabrication (AFM, profilomètre, microscopie optique et électronique, caractérisation électrique).

Pour mener à bien cette mission, l’ingénieur recruté s’appuiera sur l’expertise technologique de l’équipe et de l’ensemble des personnels de la salle blanche.

[1] F. Bavedila et al., “Development of a millimeter-long Travelling wave THz photomixer,” J. Light. Technol., vol. 39, no. 14, pp. 4700–4709, 2021, doi: 10.1109/JLT.2021.3078226.

Il doit avoir une bonne expérience de la technologie des composants en salle blanche et avoir mené à bien les différentes étapes technologiques inhérentes à la fabrication de dispositifs à semiconducteur. Une première expérience dans la fabrication de dispositifs à semi-conducteurs (MEMS, diodes, photodétecteurs, transistors…) en salle blanche est primordiale. Une expérience dans la caractérisation des dispositifs optoélectronique serait un plus.

• Assurer le support technique et scientifique des équipements gravures (DRIE, RIE, ICP)
• Assurer la maintenance de ces équipements.
• Mise au point des procédés de calibration.
• Maitrise des outils de fabrication de composants (lithographie, dépôts, gravure) ainsi que des moyens de caractérisation (Microscopie électronique, ellipsométrie, profilométrie, AFM, …)
• Assurer une veille technologique.

• Connaissance générale en Chimie et Sciences Physiques
• Connaissances en technique de fabrication (Gravure, Lithographie, Dépôts)
• Connaissances générales en instrumentation et en mesures physiques
• Connaissance des techniques du vide (vide primaire, vide secondaire)
• Manipulation des gaz sous pression
• Aptitude au travail en équipe et objectifs multi-projets
• Connaissance générale des règles d’hygiène et de sécurité
• Maitrise de la langue anglaise : expression et compréhension orales et écrites.

L’IEMN est un institut de recherche de 450 personnes. Son activité de recherche pluridisciplinaire couvre un large spectre allant de la physique du matériau jusqu’aux systèmes de télécommunication.

Ses activités de recherche s’appuient essentiellement sur cinq services techniques : la centrale de Micro et Nano Fabrication (CMNF), la plateforme de microscopie champ proche, la centrale de caractérisation électrique HF-MEMS (Micro-Electro-Mechanical-Systems), la plateforme télécom et la plateforme CEM (Compatibilité Electro Magnétique)