Un matériau aux propriétés électroniques exceptionnelles façonné à l’échelle nanométrique grâce à l’épitaxie sélective
Le tellurure de mercure (HgTe) est un semi-conducteur aux propriétés de transport électronique exceptionnelles. Par exemple, un puits quantique de HgTe contraint entre deux barrières de Cd(Zn)Te est un isolant topologique bidimensionnel, un matériau présentant des canaux de conduction protégés contre le désordre et les impuretés sur les bords alors qu’il est isolant ailleurs. La fabrication de nano-dispositifs basés sur ce matériau est donc particulièrement intéressante pour les applications d’électronique quantique et de spintronique. Cependant, en raison de sa forte sensibilité à l’exposition au faisceau d’électrons, la réalisation de nanostructures de HgTe par lithographie est particulièrement difficile. Grâce à une collaboration dans le cadre du projet ANR Inspiring, le LETI, l’IEMN et NEEL ont démontré la possibilité d’utiliser l’épitaxie par jets moléculaires sélective à travers un masque d’oxyde de silicium pour faire croître des nanofils d’HgTe planaires sur un substrat de CdTe. L’impact de l’orientation des nanofils dans le plan sur leurs propriétés de transport a été étudié à l’aide d’un microscope à effet tunnel multi-sondes.
Contacts
Plus d’informations et article complet : ici
N Chaize et al 2024 Nanotechnology 35 505602
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philippe.balle(AT)cea.fr
Contact IEMN : ludovic.desplanque(AT)univ-lille.fr
Contact Institut NEEL: hermann.sellier(AT)neel.cnrs.fr