L’ingénieur(e) de recherche recruté(e) intégrera le groupe Composants et Dispositifs Microondes (PUISSANCE) de l’Institut d’Electronique de Microélectronique et Nanotechnologie IEMN. Sa mission consistera à fabriquer des dispositifs à base de semiconducteur grand gap dans la salle blanche de l’Institut. Le (la) candidat (e) devra travailler sur les différentes étapes du procédé technologique de fabrication des dispositifs qui devront ensuite être caractérisés électriquement.

La croissance du matériau sera faite au laboratoire NTU de Singapour dans le cadre d’une collaboration internationale. À l’IEMN, l’ingénieur(e) de recherche recruté(e) sera impliqué(e) dans le développement du procédé technologique de fabrication des dispositifs en salle blanche et leur caractérisation.

Les différentes étapes du procédé seront développées et optimisées selon différentes approches :

• Réalisation d’une résistance de contact la plus faible possible pour améliorer la fréquence de fonctionnement des diodes Gunn.
• Optimisation de l’isolation des tranchées à l’aide de deux techniques. Celles-ci sont basées sur la technologie RIE / ICP à base de chlore pour la gravure sèche ou l’implantation de N⁺ utilisant différentes énergies et doses.

Les diodes seront ensuite caractérisées électriquement:

• Caractérisation des dispositifs en utilisant des techniques de base en courant continu, telles que I-V, C-V, impulsions I-V, tension de claquage, etc., Ces mesures seront également nécessaires pour obtenir un retour d’information pour la croissance du matériau au laboratoire NTU, pour l’adaptation du procédé technologique à IEMN et pour l’adaptation de modèle physique (simulation Monte-carlo) réalisé à Salamanque.
• Mesures hyperfréquences, telles que des mesures de paramètre S petit signal et des caractérisations THz des dispositifs fabriqués, afin d’obtenir des informations pour les conceptions de prototypes intégrés.
• Mesures de bruit à ces fréquences qui permettront également de fournir des informations sur la présence ou l’absence d’oscillation Gunn à des fréquences plus élevées.

• Une thèse de doctorat spécialité micro – nanotechnologie avec un savoir au niveau des composants nanométriques destinée aux applications hyperfréquences et THz.
• Une bonne expérience de la technologie des composants en salle blanche et avoir mené à bien les différentes étapes technologiques inhérentes à la fabrication de dispositifs à semi-conducteur.
• Avoir des compétences dans la physique des semi-conducteurs et de leurs applications.

Le(la) candidat(e) va travailler dans le cadre d’une collaboration internationale avec l’université de Singapour

L’activité est essentiellement orientée par un travail en salle blanche sous la responsabilité de Mme Marie LESECQ, responsable des activités liées à la technologie pour le groupe « PUISSANCE ». Elle comprendra également la réalisation de mesures des dispositifs réalisés.

Une formation spécifique à la sécurité relative à la salle blanche sera dispensée et sera initiée aux techniques particulières d’ordre technologique pour l’utilisation des différentes ressources disponibles.